SK키파운드리는 650볼트(V) 질화갈륨(GaN) 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT) 소자 특성을 확보하고 연내 개발을 완료할 예정이라고 19일 밝혔다.
GaN은 고속 스위칭, 낮은 저항 특성을 가지고 있다. 기존 실리콘(Si) 기반 반도체보다 저손실, 고효율, 소형화가 가능한 차세대 전력반도체로 불린다. 주로 전원 공급 장치, 하이브리드 및 전기차, 태양광 발전 인버터 등에 사용된다.
SK키파운드리는 기존 전력반도체 공정 사용 고객에게 650V GaN HEMT 프로모션을 진행하고, 신규 고객도 발굴할 예정이다. 또 다양한 전압의 GaN HEMT와 GaN IC까지 제공할 수 있는 GaN 포트폴리오를 구축할 계획이다.
이동재 SK키파운드리 대표는 “고전압 BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)와 더불어 차세대 전력반도체를 준비 중”이라면서 “GaN뿐만 아니라 향후 탄화규소(SiC)까지 라인업을 넓혀 전력반도체 전문 파운드리로 자리매김하겠다”고 말했다.
박진형 기자 jin@etnews.com
