램리서치가 3세대 극저온 유전체 식각 솔루션 '램 크라이오 3.0' 출시했다.
3D 낸드 스케일링은 주로 메모리 셀을 수직으로 적층하는 방식으로 이뤄져 왔다. 이를 위해 깊고 좁게 파는 고종횡비 메모리 채널 식각 기술이 사용됐다. 이 과정에서 구조 목표 프로파일에 원자 수준의 미세 편차가 발생하면 소자의 전기적 특성은 물론 수율에까지 부정적인 영향을 미쳤다.
램 크라이오 3.0은 스케일링에 있어 미세 편차 문제를 포함한 식각 공정에서의 난제들을 극복하기 위해 개발된 솔루션이다. 장비를 제어하는 소프트웨어(SW)로, 기존 장비 업데이트만으로 기술 개선이 가능하다. 상·하단부 구조의 임계치수 편차를 0.1% 미만으로 유지하며 최대 10마이크론(㎛) 깊이의 메모리 채널 홀을 식각할 수 있다.
또 기존 플라즈마 기술 대비 2.5배 빠른 속도로 식각하면서도 웨이퍼 대 웨이퍼의 반복성을 개선해 3D 낸드 제조기업의 비용 효율성과 수율을 동시에 높일 수 있도록 지원한다.
아울러 기존 식각 공정보다 웨이퍼당 에너지 소비를 40% 절감하고 새로운 식각 가스를 사용해 탄소 배출량을 최대 90%까지 줄일 수 있다고 램리서치는 강조했다.
세샤 바라다라잔 램리서치 글로벌제품사업부 수석부사장은 “램 크라이오 3.0은 고객들이 3D 낸드 1000단 달성을 위해 필요한 기술”이라며 “기존 유전체 공정 대비 2.5배의 식각률을 달성하고, 옹스트롬(angstrom) 수준의 정밀도로 고종횡비 피처를 일정하게 구현한다”고 말했다.
박진형 기자 jin@etnews.com
