SK하이닉스가 6세대 고대역폭메모리(HBM) HBM4 구현에 '하이브리드 본딩' 적용을 추진하겠다고 밝혔다.
이규제 SK하이닉스 PKG제품개발담당(부사장)은 5일 사내 인터뷰를 통해 “맞춤형 HBM 요구에 적기 대응하기 위해 다양한 패키징 기술 개발이 필요하다”며 “방열 성능이 우수한 기존 어드밴스드 MR-MUF를 지속적으로 고도화하는 한편 하이브리드 본딩 등 새로운 기술들을 확보해 나갈 계획”이라고 말했다.
MR-MUF는 SK하이닉스가 3세대 HBM(HBM2E)를 세계 최초로 개발하는데 기여한 기술이다. 지난해에는 방열 성능을 더욱 강화한 어드밴스드 MR-MUF 기술로 4세대 HBM(HBM3)를 가장 먼저 개발해 시장에 내놨다. SK하이닉스는 올해 하반기부터 인공지능(AI) 빅테크 기업에 공급하는 5세대 HBM(HBM3E) 12단 제품에도 같은 기술을 적용했다.
SK하이닉스는 내년 하반기 양산하는 6세대 HBM(HBM4)까지 어드밴스드 MR-MUF 기술로 구현한다는 계획이나, 16단부터는 하이브리드 본딩을 비롯한 차세대 패키징 기술을 열어두고 검토 중이다. 적합한 기술을 적용, 16단 HBM4 양산을 2026년 시작한다는 계획이다.
기존에는 HBM D램 칩 사이에 범프가 있어야 했지만, 하이브리드 본딩은 이를 없애고 구리 배선 패드끼리 직접 붙이는 기술이다. 위아래 칩간 간격이 좁아져 생기는 발열 문제가 해결해야 할 과제로 꼽힌다.
이 부사장은 “SK하이닉스가 HBM 시장을 선점할 수 있었던 원동력은 품질과 양산 경쟁력을 갖춘 제품을 고객이 원하는 시기에 제공했기 때문”이라며 “고객과 이해관계자의 요구를 빠르게 파악하고 회사 고유의 협업 문화를 더해 미래 패키징 기술을 준비해 나가겠다”고 말했다.
박진형 기자 jin@etnews.com
