웨이브로드는 질화갈륨(GaN) 전력반도체 에피택시 웨이퍼 소재와 마이크로LED칩 광원 위탁생산(파운드리) 사업을 영위하는 스타트업이다.
웨이브로드는 민간·국방 분야에서 사용하는 고주파용 고출력 무선 통신 시스템의 전력증폭기용 에피택시 웨이퍼 소재를 국내 최초로 양산한다는 계획이다. 회사는 최근 개발한 제품의 경우 해외 경쟁사 대비 두께를 4배 이상 얇게 만들 수 있어 성능과 방열 특성이 더 우수하고 생산성도 20% 이상 높다고 설명했다.
구체적으로 내년 상반기까지 4·6인치 고주파용 고출력 무선 통신 시스템의 전력증폭기용 에피택시 웨이퍼 개발을 완료하고 양산할 예정이다. 또 최근 확보한 6인치 스위칭용 고출력 파워 GaN 전력반도체용 에피택시 레시피를 기반으로 내년 말까지 8인치 에피택시 웨이퍼 기술개발 완료할 방침이다. 장기적으로는 GaN 전력반도체 성능과 품질을 높이기 위해 독자 솔루션으로 엔지니어드 성장기판을 개발한다.
지난 7월 마이크로LED칩 파운드리 서비스를 위한 생산설비도 구축했다. 국내 디스플레이 대기업으로부터 마이크로LED 칩 광원에 대한 개발을 의뢰받아 대응하고 있다. 무기발광 디스플레이 패널 제작과 연계된 고객 요구에 맞춰 기술개발을 진행하고 내년 초부터 물량을 늘려갈 계획이다.
회사는 기술력을 인정받아 올해 상반기 시리즈 A 투자를 성공적으로 마무리했다. 또 유진투자증권을 상장주관사로 선정, 2년 내 상장을 추진 중이다.
[송준오 웨이브로드 대표]
송준오 웨이브로드 대표는 GaN 소재·소자 분야 석·박사 학위를 취득하고 대기업에서 관련 사업부를 이끌다 2019년 회사를 설립했다.
현재 고주파용 고출력 무선 통신 시스템의 전력증폭기용 에피택시 웨이퍼 소재와 트랜지스터 소자는 해업에서 100% 전량 수입하는 상황이다. 동작 중에 섭씨 200도 이상의 고온이 발생되기에 방열특성이 우수한 탄화규소(SiC) 기판 위에 갈륨(Ga), 알루미늄(Al), 질소(N) 원자로 구성된 박막을 단결정화시키는 고난도 소재기술이 필요하다.
GaN 에피택시 웨이퍼는 기판과 기판 위 성장해야 할 소재가 달라 유기금속화학증착(MOCVD) 장비 운용 기술적 난도가 높은데, 웨이브로드는 이를 양산화에 성공한 엔지니어를 다수 보유하고 있다. 이와 관련한 200여건의 지식재산권(IP)도 확보했다.
송 대표는 “작은 규모이지만 GaN 소재·소자 기술개발을 빠르게 추진할 수 있는 인프라와 장비를 완전히 구축한 상태”라며 “많은 경험을 보유한 임원진과 젊고 역량있는 연구원들과 힘을 합쳐 대한민국 GaN 전력반도체 업계 발전에 기여하겠다”고 말했다.
※[미래 반도체 스타] 시리즈는 중소벤처기업부와 창업진흥원이 지원하는 '초격차 스타트업 1000+' 사업의 일환으로 서울대학교 시스템반도체산업진흥센터와 함께 진행한다.
박진형 기자 jin@etnews.com
