SK키파운드리는 전 세대 대비 성능을 20% 개선한 4세대 0.18㎛ BCD 공정을 출시했다고 11일 밝혔다.
SK키파운드리는 8인치 웨이퍼를 기반으로 반도체를 위탁생산(파운드리)하는 업체다. 3세대 공정에서의 대량 양산 경험을 기반으로 4세대 공정에서 전력 반도체 에너지 효율을 높이고 발열을 낮춰 성능을 개선했다.
4세대 0.18㎛ BCD 공정은 3.3V, 5V, 18V 등 다양한 전력 소자 게이트 입력단을 포함한 40V급까지의 전력 소자들을 제공한다. 해당 공정을 활용해 서버·노트북용 전력관리반도체(PMIC), DDR5 메모리용 PMIC, 모바일 충전기, 오디오 앰프, 차량용 게이트 드라이버 IC 등을 만들 수 있다. SK키파운드리는 옵션으로 트리밍용 멀티 타임 프로그래머블(MTP), 원 타임 프로그래머블(OTP) 메모리, SRAM 메모리 등을 제공한다고 덧붙였다.
차량용 반도체에서 요구되는 높은 신뢰성도 충족한다. 해당 공정은 125℃ 고온 환경에서 IC 동작을 보장하는 자동차 품질 규격 'AEC-Q100 그레이드1' 인증을 받았다. 'Thick IMD(Inter Metal Dielectric)' 옵션을 선택하면 1만5000V 이상 고전압을 견디는 자동차용 아이솔레이터 제품 설계도 가능하다.
이동재 SK키파운드리 대표는 “전력용 반도체 공정 기술 경쟁력을 지속 강화하고 고객과의 긴밀한 협력을 통해 AI 서버용 PMIC, DDR5 PMIC, 자동차용 게이트 드라이버 IC 등 향후 높은 성장이 기대되는 다양한 응용 분야로 사업을 확대해 나갈 것”이라고 말했다.
박진형 기자 jin@etnews.com
