동진쎄미켐이 2030년까지 모든 포토레지스트(PR) 제품을 '과불화화합물(PFAS)'을 포함하지 않는 제품으로 개선한다. 세계적으로 강화되는 PFAS 관련 환경 규제 정책에 대응하는 선제적 조치다.
허명현 동진쎄미켐 상무는 16일 전자신문·반도체 패키징 발전전략 포럼이 공동 주최한 '반도체 한계를 넘다' 콘퍼런스에서 “2030년 완료를 목표로 PFAS을 포함하지 않는 PR 제품을 개발하고 있다”며 “대상은 극자외선(EUV) PR을 포함한 전 제품군”이라고 밝혔다.
그는 “아직 디스플레이를 비롯한 다른 산업 대비 반도체에 대한 PFAS 규제가 강하진 않지만 선제적으로 대응해 나갈 방침”이라며 “이를 위한 원재료 대체재를 찾고 연구개발(R&D)을 진행하고 있다”고 강조했다.
동진쎄미켐은 국내 기업 중 유일하게 EUV PR 양산 공급에 성공한 기업이다. PR은 감광성 물질로 반도체 미세회로를 그리는 노광공정에서 사용되는 소재다. 사용 공정노드에 따라 i-line PR(250~350nm), KrF PR(130~45nm), ArF PR(45~7nm), EUV PR(7nm 이하)로 나뉜다.
PFAS는 물과 기름에 강한 내성을 지녀 반도체·디스플레이·의류·자동차 산업 등에 광범위하게 사용되는 물질인데, 생분해되지 않아 환경에 축적되며 인체에도 악영향을 미친다. 이에 미국, 유럽 등 세계 각국이 규제를 강화하고 있다.
허 상무는 “2021년 이후 대학·연구기관과 연계해 펀더멘털 리서치를 진행한 이후 R&D를 거쳐 실제 테스트도 진행했다”며 “추가적 개선이 필요하지만 성능적인 부분에 있어 큰 문제가 발생하진 않고 있다”고 전했다.
PR 성능 개선을 위한 R&D도 활발히 진행 중이다. I-line PR 성능 향상을 위해 Krf PR 원료 적용을 시도하고 있다. 차세대 3D 낸드플래시 소재 개념 변화를 고려해 음이온 폴리머를 이용한 네거티브 톤 Krf PR도 개발하고 있다. 고객사 EUV 장비 투자 부담을 줄이기 위해 ArF PR 성능 개선도 추진 중이다.
차세대 노광장비인 하이 뉴매리컬애퍼처(NA) EUV에 대응한 PR 개발 중이다. 허 상무는 “현재 화학 증폭형 레지스트(CAR)가 EUV PR로 주로 사용되지만, 하이NA EUV에서는 금속 산화물 레지스트(MOR)가 적합한 소재로 떠오르고 있어 이에 대응해 나가고 있다”고 말했다.
박진형 기자 jin@etnews.com
