쎄닉, 美 헤일로와 SiC 웨이퍼 가공 협력

쎄닉과 헤일로 관계자들이 업무협약(MOU) 체결 기념 사진을 촬영하고 있다. (사진=쎄닉)
쎄닉과 헤일로 관계자들이 업무협약(MOU) 체결 기념 사진을 촬영하고 있다. (사진=쎄닉)

전력반도체용 실리콘카바이드(SiC) 소재사 쎄닉은 미국 헤일로와 웨이퍼 가공 업무협약(MOU)을 체결했다고 30일 밝혔다.

헤일로는 SiC와 질화갈륨(GaN) 웨이퍼 가공 전문기업으로, 쎄닉과 제품 출시 시간 단축 및 소요 비용 절감을 위해 협업할 예정이다.

구갑렬 쎄닉 대표는 “헤일로와 긴밀한 협력을 통해 개발 완료된 150밀리미터(㎜) SiC 웨이퍼와 개발 중인 200㎜ 웨이퍼 가공 품질 개선 및 원가 절감을 추진하겠다”고 말했다.

이호길 기자 eagles@etnews.com