SK하이닉스가 업계 최고층인 321단 낸드플래시 메모리 양산을 개시했다. 인공지능(AI) 연산을 지원하는 고대역폭메모리(HBM)에 이어 저장장치 시장에서도 경쟁 우위를 이어가는 모양새다.
SK하이닉스는 321단의 1테라비트(Tb) 트리플 레벨 셀(TLC) 4차원(4D) 낸드 플래시 대량 생산을 시작했다고 21일 밝혔다. 지난해 6월 238단 제품 양산에 이어 300단 이상급 낸드를 가장 먼저 시장에 공급한다. SK하이닉스는 “내년 상반기부터 321단 제품을 고객사에 공급해 시장 요구에 대응해 나갈 것”이라고 강조했다.
321단 제품은 기존 세대 대비 데이터 전송 속도는 12%, 읽기 성능은 13% 향상됐다. 또 데이터 읽기 전력 효율이 10% 이상 높아졌다.
SK하이닉스는 321단 낸드 개발을 위해 '3-플러그' 공정에 신기술을 도입했다. 지속적으로 높아지는 낸드 단수에 대응, 적층 한계를 극복하기 위해서다.
구체적으로 기판을 쌓은 후 셀을 한번에 형성하기 위한 수직 구멍(플러그)을 3번에 나눠 진행한 후 최적화된 후속 공정을 진행한다. 단수가 높아진 만큼 변형 우려가 적은 저변형 소재를 개발해 플러그 내부를 채웠고, 플러그 간 자동 정렬 보정 기술도 새로 도입했다고 회사는 부연했다.
SK하이닉스는 “이전 세대인 238단 낸드의 개발 플랫폼을 321단에도 적용해 공정 변화를 최소화함으로써 전 세대 대비 생산성을 59% 개선했다”고 설명했다.
SK하이닉스는 321단 낸드로 AI용 저전력·고성능 제품을 구현할 계획이다. 또 다른 AI 메모리인 HBM과 함께 급성장하는 AI 시장에 적극 대응한다는 전략이다.
최정달 SK하이닉스 낸드개발담당 부사장은 “300단 이상 낸드 양산으로 AI 저장장치 시장을 공략하는 데 유리한 입지를 점하게 됐다”며 “HBM으로 대표되는 D램은 물론, 낸드에서도 초고성능 메모리 포트폴리오를 완벽하게 갖춘 '풀스택 AI 메모리 공급자'로 도약할 것”이라고 말했다.
박진형 기자 jin@etnews.com
