에이프로세미콘이 8인치 질화갈륨(GaN) 에피 웨이퍼 양산에 돌입했다. 차세대 전력 반도체로 꼽히는 GaN 반도체의 기반이 되는 웨이퍼로, 본격적인 GaN 반도체 시장 공략의 신호탄을 쐈다.
에이프로세미콘은 지난해 12월 준공한 구미 신공장에서 업계 최초로 650V급 전력 반도체를 위한 'GaN 온 실리콘' 에피 웨이퍼 양산을 시작했다고 6일 밝혔다. 이번에 가동하는 구미 신공장은 연간 2만장의 GaN 에피 웨이퍼를 생산할 수 있는 능력을 갖췄다.
회사는 지난해 신규 도입한 GaN 에피 웨이퍼 핵심 제조 장비 'MOCVD'를 포함, 정밀 분석 장비 등을 함께 생산 라인에 구축해 생산성과 품질을 동시에 높일 수 있다고 설명했다. 현재 고객사와 공급 일정도 논의 중이라고 부연했다. 에이프로세미콘은 GaN 에피웨이퍼를 통한 전력 반도체 생산을 위해 DB하이텍 등과 협력하고 있다.
GaN 에피 웨이퍼는 실리콘(Si) 위에 GaN 막을 성장(에피) 시킨 웨이퍼다. 에이프로세미콘은 지난 2021년부터 연구개발(R&D)을 시작, 1200V급 고전압 GaN 반도체를 구현할 수 있는 에피 웨이퍼를 개발한 바 있다. 최대전압(항복전압) 1600V을 견딜 수 있고, 고효율 전력 변환(E모드)도 가능하다. 성장 두께와 균일도가 99% 수준으로 품질을 대폭 향상했다.
에이프로세미콘은 GaN 에피 웨이퍼와 함께 GaN 반도체 개발 사업에도 박차를 가하고 있다. 이달부터 판교 시스템반도체 설계지원센터에 GaN 전력반도체 설계전담팀을 신설·운영 중이다. 이 조직은 차세대 GaN 전력반도체 소자 설계 최적화 및 시뮬레이션, 신기술 개발을 담당하게 된다.
회사는 설계부터 공정 및 제조까지 아우르는 기술 고도화로 제품 성능을 극대화할 계획이다. 이를 통해 GaN 반도체에 대한 종합적 기술 경쟁력을 확보할 방침이다.
에이프로세미콘는 “구미 신공장 가동과 소재·소자·부품 기술 경쟁력 강화 등 대규모 시설투자와 기술 고도화로 글로벌 GaN 전력반도체 시장에서 핵심기업으로 도약하겠다”고 밝혔다.
권동준 기자 djkwon@etnews.com
