일본 메모리 업계, 차세대 제품 생산 앞당긴다

엘피다는 그동안 한국세에 밀렸던 미세 공정 제품을 30나노 단계에서 따라잡겠다는 목표를 세웠다. 사진은 엘피다 30나노 D램의 생산거점인 히로시마 공장.
엘피다는 그동안 한국세에 밀렸던 미세 공정 제품을 30나노 단계에서 따라잡겠다는 목표를 세웠다. 사진은 엘피다 30나노 D램의 생산거점인 히로시마 공장.
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 일본 메모리 업계가 차세대 제품 생산 비중을 높인다. 세계 메모리 시장을 주도하는 한국과의 경쟁에서 더 이상 밀리지 않으려는 전략적 선택으로 풀이된다. 설비 투자비의 조기 회수라는 반사이익도 기대하는 분위기다.

 니혼게이자이는 11일 엘피다와 도시바의 차세대 메모리 생산 계획을 보도했다.

 D램 업계 3위인 엘피다는 30나노 미세공정 D램에 사활을 걸었다. 현재 이 회사의 히로시마 공장 및 대만 공장에서 30나노 D램이 차지하는 비중은 15%정도인데, 이를 내년 3월 말까지 75%수준으로 끌어올린다는 방침이다. 엘피다는 30나노 D램에서 올해 안에 세계 1위 삼성전자를 따라잡겠다는 목표다.

 엘피다는 지난 5월 세계 최초로 25나노 D램 시제품을 내놓은 바 있다. 또 새로운 D램 회로 설계 기술을 개발해 공정 과정을 줄였다. 엘피다 측은 미세공정과 회로설계 신기술로 설비 투자비를 기존보다 70%정도 줄일 수 있다고 주장했다.

 낸드 플래시메모리 세계 2위 도시바는 미에현 요카이치 공장을 증축해 차세대 제품의 생산 거점으로 결정했다. 이곳에서는 24나노와 19나노 공정 플래시메모리 양산에 들어간다. 오는 9월까지 차세대 제품 비중을 60%수준으로 올릴 계획이다.

 도시바는 플래시메모리 미세공정에서 삼성전자와 하이닉스, 마이크론 등과 치열한 경쟁을 펼치고 있다. 도시바는 새로운 공장 가동을 계기로 플래시메모리 시장 만년 2위를 벗어나겠다는 각오다. 작년 말까지 삼성전자와 도시바의 플래시메모리 시장 점유율은 각각 38.6%와 33.9%를 차지했지만 올해 들어 그 차이가 크게 줄었다는 전망이 우세하다.

 니혼게이자이는 일본 메모리 업체들의 차세대 제품 집중 전략을 ‘삼성전자의 빈틈’을 노리려는 의도로 진단했다. 최근 삼성전자가 메모리보다 시스템반도체 쪽에 투자를 기울이는 상황을 감안해 전세를 뒤집으려는 포석이라고 해석했다.

 이 신문은 최대 수요처인 PC 시장의 성장세가 꺾이면서 메모리 가격 하락이 더욱 클 것이라는 관측 아래, 미세공정 기반의 차세대 제품이 승패를 가를 수 있다고 내다봤다. 니혼게이자이는 과거 엘피다가 삼성전자보다 미세공정에서 한 세대 뒤떨어지면서 2008년과 2009년, 2년 동안 2000억엔에 달하는 적자를 본 사실이 있다고 덧붙였다.

장동준기자 djjang@etnews.com