삼성전자가 세계 최대 플래시 메모리 라인 16라인을 가동한 데 이어 주춤했던 D램 투자도 최근 늘리면서 후발기업 추격의지를 뿌리치고 있다.
21일 반도체 업계에 따르면 이달들어 삼성전자가 낸드플래시와 D램 메모리반도체 생산 확대를 위해 장비 발주에 나섰다. 이번 발주는 메모리 생산 기지로 전환하고 있는 화성 캠퍼스 중 낸드플래시를 생산하는 16라인과 D램을 생산하는 13·15라인에 집중된다.
최근 가동을 시작한 16라인은 생산물량 확대를 위한 장비를 추가로 도입한다. 이곳에서는 21나노 플래시메모리가 생산 중이다.
업계 한 관계자는 “16라인은 애초 계획보다 투자가 지연됐으나 이번 장비 투입으로 반기 가량 풀 가동 시점이 앞당겨졌다”며 “연말께 목표인 12인치 웨이퍼 기준 월 2만장 생산체제를 갖출 것으로 예상된다”고 말했다.
D램 반도체는 미세공정 확대에 초점이 맞춰졌다. 화성 13라인은 20나노급 D램 양산을 늘리기 위한 장비가 도입된다. 삼성전자는 최근 20나노급 D램 양산도 시작했다. 삼성전자는 20나노급 D램 양산 수율을 높이기 위한 장비를 도입 중이며 기존 30나노급에 사용되던 장비를 업그레이드하고 있다. 이번 투자에는 노광기와 계측장비, 에처 등이 포함된다.
D램 생산 전용인 15라인은 30나노급 생산으로 완전 전환하기 위한 장비를 도입한다. 생산물량이 월 17만장에 달하는 15라인은 전체 공정 중 70%가 30나노급이다. 이번 장비 도입을 통해 나머지 40나노급 공정을 30나노급으로 완전 전환할 계획이다.
한 관계자는 “15라인은 연내에 전량 30나노급으로 전환해 경쟁업체와 기술 격차를 벌인다는 계획”이라며 “내년 중반께 13라인 개발실에서 20나노급 D램 양산 수율이 80%까지 높아지면 15라인 등으로 이전해 양산에 곧바로 투입될 전망”이라고 분석했다.
서동규기자 dkseo@etnews.com