KAIST 2나노급 차세대 반도체 제조원천 기술 개발

그래핀 소재 위에 2나노급 초미세 패턴을 구현할 수 있는 핵심 원천기술이 국내 연구진에 의해 개발됐다.

그동안 반도체 업계에서는 선폭 10㎚ 이하인 반도체 제작은 불가능한 것으로 알려져 왔다.

화학적으로 개질된 그래핀 위에서 형성된 직사각형 모형의 DNA 사슬접기 모양과 측정 사진.
화학적으로 개질된 그래핀 위에서 형성된 직사각형 모형의 DNA 사슬접기 모양과 측정 사진.

김상욱 KAIST(총장 서남표) 신소재공학과 교수와 윤제문 연구조교수 연구팀은 2㎚의 초미세 반도체 회로를 만들 수 있는 DNA 배열기술을 개발했다고 6일 밝혔다.

이 기술이 상용화되면 우표 크기의 메모리 반도체에 고화질 영화 1만 편을 저장할 수 있게 된다. 이는 현재 상용화된 20나노급 반도체 대비 100배 용량이다.

연구진은 `DNA 사슬접기`라고 불리는 최첨단 나노 구조제작 기술을 이용해 금속나노입자나 탄소나노튜브를 2㎚까지 정밀하게 조절했다.

김 교수는 “실리콘 기반 반도체 기술은 한계에 이르렀다”며 “앞으로 신물질 차세대 반도체 개발에 커다란 파급효과를 불러일으킬 것”이라고 말했다.

한편, 이번 연구결과는 화학분야의 국제 학술지인 `앙게반테 케미(Angewandte Chemie International Edition)` 1월호에 표지논문으로 실렸다.

대전=박희범기자 hbpark@etnews.com