ST마이크로일렉트로닉스(지사장 마르코사시스)는 프랑스 크롤의 12인치(300mm) 반도체 생산공장(팹)에서 28나노미터(nm) 완전 공핍형(FD)-실리콘온인슐레이터(SOI) 공정 양산 준비를 마쳤다고 12일 밝혔다.
이 공정은 저전력 그래픽·멀티미디어·모뎀(브로드밴드)용 반도체를 생산할 때 사용한다. ST마이크로는 표준셀(Cell), 메모리생성기, 입출력(I/O), AMS(MOS), 설계자산(IP), 고속인터페이스 일체를 구비했다. 공정에는 실리콘 검증 설계 플랫폼도 포함된다.
28nm 벌크 CMOS 공정에서 반도체를 제조하던 회사는 이 공정으로 바로 옮겨갈 수 있도록 포팅 라이브러리와 물리적 IP를 개발했다. 기존 설계툴 및 디지털 시스템온칩(SoC) 설계 과정이 벌크 공정과 동일하지만 전력 효율이 더 높아 고성능·저전력 칩을 생산할 수 있다.
ST에릭슨이 이 공정을 이용해 모바일 애플리케이션프로세서(AP) `노바토르`를 양산한 바 있다.
오은지기자 onz@etnews.com