로옴세미컨덕터코리아(대표 요시가와 요시히로)는 쇼트키 다이오드를 없앤 실리콘카바이드(SiC)-MOS 모듈을 양산했다고 21일 밝혔다.
산업기기나 태양광 발전용 인버터·컨버터에 쓰이는 전력 반도체 소자를 SiC-모스펫(MOSFET)만으로 구성한 건 이 제품이 처음이다. 지금까지 사용하던 실리콘-절연게이트바이폴라트랜지스터(IGBT) 모듈에 비해 전력 소비량이 55% 줄어든 반면 스위칭 성능은 동일하다. 정격 전류를 1200V 기준 120A에서 180A로 높였다. 50kHz 이상 고성능 스위칭도 가능해 주변 기기를 소형화·경량화 할 수 있다.
저항도 낮췄다. 1000V 이상에서도 다이오드정류방식에 비해 고효율의 동기정류방식 기술을 쓸 수 있다. 동작시 저항치(ON 저항)가 낮아 1000시간 이상 사용해도 저항이 증가하지 않는다. 기존 제품은 20시간을 넘으면 ON 저항이 상승하는 문제가 있었다.
이 제품은 일본 교토 본사 공장에서 이번달부터 양산에 들어갔다.
오은지기자 onz@etnews.com