삼성전자가 10나노급 128Gb 낸드 플래시 메모리 양산에 돌입했다.
기존 20나노급 64Gb 낸드 플래시보다 2배 이상 생산성이 높아 내장 스토리지, 솔리드스테이트드라이브(SSD) 시장에서 더욱 강력한 주도권을 확보할 것으로 예상된다.
삼성전자는 이달부터 10나노급 3비트 멀티레벨셀(MLC) 설계 기반 128Gb 낸드 플래시 메모리 양산에 들어갔다고 11일 밝혔다.
초고속 낸드 플래시 규격 토글 DDR 2.0 인터페이스를 적용해 강력한 성능을 자랑한다. 삼성전자는 지난해 11월 10나노급 64Gb MLC 낸드플래시를 양산을 시작한지 5개월 만에 두 배 용량 제품 출하에 성공했다. 공정 기술을 바탕으로 임베디드멀티미디어카드(eMMC)·SSD 시장에서 초격차 전략을 펼치겠다는 의도로 풀이된다.
삼성전자는 지난해 20나노급 64Gb 3bit MLC 낸드 플래시로 250GB 이상 SSD 사업을 크게 늘렸다. 올해는 128Gb 3bit MLC 낸드플래시로 128GB eMMC와 500GB 이상 SSD 시장을 확대할 것으로 보인다.
전영헌 삼성전자 메모리사업부 부사장은 “128Gb 낸드플래시로 대용량 스토리지 제품 경쟁력을 더욱 끌어올릴 것”이라며 “향후에도 차세대 메모리를 적기에 출시해 시장 주도권을 공고히 하겠다”고 말했다.
이형수기자 goldlion2@etnews.com