경희대 `그래핀 p-n 접합 다이오드` 세계 최초 개발

`꿈의 신소재`로 불리는 그래핀 실용화를 위한 핵심 기술이 개발됐다.

경희대는 응용물리학과 최석호 교수 연구팀이 화학기상증착법(CVD)과 화학적 도핑법을 이용해 세계 최초로 `올(All) 그래핀 수직형 다이오드`를 개발했다고 26일 밝혔다. 최 교수 연구팀은 전자가 빠르게 이동할 수 있어 전도성이 매우 좋고 강도 등 물리적 성질도 뛰어난 그래핀의 실용화를 위한 핵심 기술인 `그래핀 p-n 접합 다이오드` 개발에 성공했다.

경희대 `그래핀 p-n 접합 다이오드` 세계 최초 개발

연구팀은 그래핀을 p-n 접합할때 도핑물질에 의해 중간층이 형성돼 터널링 다이오드가 되는 것을 알아냈고 그래핀 p-n 다이오드가 비교적 낮은 전압인 10V 정도에서 약 10³정도의 스위칭 비율을 보여 기존의 그래핀 소자보다 구조와 성능이 훨씬 우수해 실용소자로서의 가능성이 크다는 사실을 입증했다고 설명했다.

최 교수는 “그래핀만을 이용해 LED, 태양전지, 메모리 등 투명하고 휘어지는 광·전자나 디스플레이 기기에 적용할 그래핀 p-n 다이오드를 처음으로 개발한 것”이라며 “CVD를 이용해 대면적으로 이를 제작해 그래핀의 상용화 가능성을 앞당겼다는 의의도 크다”고 강조했다.

허정윤기자 jyhur@etnews.com