알에프에이치아이씨(대표 조덕수)의 LTE RRH용 질화갈륨(GaN) 전력증폭기가 `제14회 전파방송 신기술상` 대통령상을 차지했다.
알에프에이치아이씨는 GaN 화합물 반도체 기술을 바탕으로 세계 최고 제품을 개발한 것으로 평가됐다.
알에프에이치아이씨의 화합물 반도체 분야 축적된 연구 성과가 결집된 이 제품은 국내외 LTE·LTE-A용 기지국의 핵심 부품으로 사용되고 있다.
알에프에이치아이씨는 GaN 트랜지스터를 이용, 전력증폭기의 고출력, 저전력, 소형화, 생산비 절감이 가능하도록 했다.
2㎓ 이상의 고주파 대역에서 고출력을 보장, 증가하는 데이터 트래픽을 감당하기에도 충분하다. 뿐만 아니라 고출력으로 소형화·경량화도 가능하다.
이 뿐만 아니라 높은 효율로 소비 전력을 최소화, 에너지 절감에도 일조할 수 있다
제품 수명도 기존 제품의 10배 이상이라는 게 알에프에이치아이씨 설명이다.
기존에 양산이 미비해 단점으로 지적된 가격 문제는 수요 증가, 자체 설계, 양산을 통해 이전 제품과 비슷한 수준으로 해결했다.
이 제품은 당장의 수입 대체 효과는 물론 수출 증가, 의료·위성통신 등 새로운 분야 적용 가능성도 충분하다는 평가다.
