미쓰비시전기, 크기 1/4로 줄인 전력반도체 개발

미쓰비시전기가 전력반도체 크기를 4분의 1로 줄일 수 있는 기술을 개발했다.

닛케이산업신문은 미쓰비시전기가 전력반도체 크기를 획기적으로 줄일 수 있는 기술을 개발했다고 18일 전했다. 전력반도체는 직류와 교류 주파수를 변환하거나 전압을 올리는 부품으로 가전제품이나 전기자동차 등에 사용된다.

회사가 개발한 초소형 전력반도체는 전력 손실이 적어 전력 반도체에 사용되는 탄화규소(SiC) 기판에 홈을 만들어 집적도를 높이는 트렌치형 반도체다. ‘금속 산화막 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)’ 기술을 사용했다.

제품은 전극 모서리를 보호막으로 덮는 것과 동시에 보호막을 전기적으로 안정시키는 회로를 둬 단락 시에도 안전장치가 작동하는 사이 트랜지스터 손상을 막을 수 있게 했다. 기존 전력반도체는 단락 시 전극 모서리에 부하가 걸리는 문제가 있었다.

이 제품은 낮은 저항으로 같은 면적에서 약 4배의 전류를 흘릴 수 있게 해 크기를 4분의 1로 줄였다. 소비전력도 최대 절반으로 줄였다.

회사는 기존 전력반도체와 동일한 신뢰성을 인정받아 다양한 전자기기에 탑재될 것으로 기대하고 있다. 향후 5년 내 상용화 한다는 목표다.

김창욱기자 monocle@etnews.com