SK하이닉스가 중국에서 고부가 반도체 생산을 늘리고 있다. 계획된 설비 투자도 빠르게 추진되고 있다.
11일 업계에 따르면 SK하이닉스는 최근 DDR4 D램, 낸드(NAND) 플래시 등 고부가 제품 생산량의 상당 비중을 중국 우시 생산법인으로 옮기고 있다. 이에 따라 국내 협력사 외주 물량도 크게 줄어드는 추세다. 그동안 SK하이닉스는 고부가 제품을 제외한 D램을 전공정까지만 독자 생산하고 패키징·테스트는 외주 업체에 주로 맡겼다. 국내 테스트 협력사 관계자는 “SK하이닉스의 D램 물량이 이전보다 40% 줄었다”며 “플립칩 D램, 낸드 플래시 등 고부가 제품 비중이 커진 대신 PC용 DDR3 등 기존 제품양이 줄면서 국내 업체들에 주는 외주가 급감했다”고 말했다.
중국 법인이 추진하기로 했던 설비 투자도 빠르게 이뤄지고 있다. 박성욱 SK하이닉스 대표는 지난달 말 중국 정부 관계자를 만나 우시 D램 전공정 공장에 투자할 총 25억달러 중 1억달러(1030억원)를 본사 증자 방식으로 투자할 것이라고 밝혔다. 생산 공정을 현 20나노 후반대에서 20나노 중반대로 끌어올리는데 투입된다. SK하이닉스는 올해부터 오는 2016년까지 3년간 우시 공장에 총 25억달러를 투자하는 계획을 지난해 중국 정부로부터 승인 받았다.
회사 관계자는 “신규 투자가 아니라 이미 계획된 것의 일부”라며 “본사 실적이 좋았던 만큼 증자를 통해 금액을 마련키로 결정한 것”이라고 밝혔다.
고부가 D램 생산량이 증가하면서 중국 내 패키징 라인의 설비투자도 지속적으로 진행 중이다. 업계 관계자는 “지금은 충칭에서 낸드 플래시용 생산설비를 확충 중”이라며 “우시 공장 생산능력이 급증하고 있어 향후 D램용 패키징·테스트 기기 투자도 이뤄질 것”이라고 전망했다.
SK하이닉스 관계자는 “패키징 투자도 지속적으로 진행하고 있지만 큰 금액은 아니다”라며 “충칭 공장에서 어떤 제품을 생산할지는 물론이고 아직 양산이 준비된 상태도 아니다”라고 말했다.
김주연기자 pillar@etnews.com