삼성전자는 3차원(3D) 실리콘관통전극(TSV) 적층 기술을 활용한 64기가바이트(GB) DDR4 서버용 D램 모듈 양산을 시작했다고 27일 밝혔다.
TSV는 기존 금선을 이용해 칩을 연결하는 대신 칩에 미세한 구멍을 뚫어 칩의 상하단을 전극으로 연결하는 기술이다. 기존 패키징 방식에 비해 속도를 갑절가량 높이고, 소비전력은 절반 수준으로 낮출 수 있다. 3D TSV를 활용한 64GB DDR4 서버용 D램 모듈 양산은 세계 처음이라고 삼성전자는 전했다.
양산을 시작한 제품은 20나노급 4기가비트(Gb) D램 칩 144개로 구성된 대용량 모듈이다. 3D TSV 기술로 4Gb D램을 4단으로 쌓은 칩 36개가 탑재됐다.
삼성전자는 64GB 대용량 서버용 DDR4 모듈을 하반기 출시되는 글로벌 정보기술(IT)업체들의 차세대 서버용 CPU와 연계해 DDR4 신규 시장을 적극 공략할 계획이다. 회사는 앞으로 3D TSV 기술을 적용한 64GB 이상의 대용량 DDR4 모듈도 출시할 예정이다.
백지호 삼성전자 메모리사업부 상무는 “이번 TSV 기반 D램 모듈 양산으로 하반기 차세대 CPU 출시에 맞춘 초절전 솔루션을 제공하고 프리미엄 DDR4 D램 시장을 선점할 수 있게 됐다”고 말했다.
이호준기자 newlevel@etnews.com
