삼성전자가 업계 처음으로 20나노 8기가비트(Gb) DDR4(Double Data Rate 4) 서버 D램 양산에 성공했다고 21일 밝혔다.
20나노 8기가비트 DDR4 서버 D램은 올해 하반기 DDR4 전용 서버 중앙연산처리장치(CPU) 출시에 맞춰 양산을 시작한 차세대 제품이다. 프리미엄 서버 시장을 기존 DDR3에서 DDR4로 전환시킬 아이템으로 꼽힌다.
20나노 8Gb D램 기반의 DDR4 서버용 모듈 제품은 기존 DDR3 기반의 모듈보다 약 30% 빠른 2400Mbps의 성능을 구현한다. 반면 동작 전압은 1.2볼트(V)로 DDR3의 1.5V보다 낮다. 또 기존 4Gb 제품 기반으로는 최대 64기가바이트(GB) 용량의 모듈만 가능하지만, 이번 8기가비트 D램과 지난 8월 삼성전자가 처음으로 양산을 시작한 실리콘관통전극(TSV)기술을 접목해 최대 128GB의 모듈을 공급할 수 있다.
삼성전자는 지난 3월 최초로 20나노 PC용 D램 양산에 성공한 이후 현재까지도 유일하게 20나노 제품을 양산하고 있다. 지난 9월 모바일 D램에 이어 이번에 서버용 D램에도 20나노 공정을 적용하며 ‘20나노 D램 시대’를 주도할 풀 라인업을 구축했다.
백지호 삼성전자 메모리사업부 상무는 “8Gb DDR4 D램은 차세대 서버 시스템 구축을 위한 고성능, 고용량, 저전력 특성을 모두 충족하는 제품”이라고 설명했다.
삼성전자는 향후 △PC용은 생산 효율이 높은 4Gb △모바일용은 패키지 크기를 줄이면서 칩의 적층 수를 줄일 수 있는 6Gb △서버용은 고용량의 8Gb D램으로 시장에 대응할 방침이다.
김승규기자 seung@etnews.com