김진국 SK하이닉스 부사장은 세계 최고 수준의 메모리 기술과 제품 개발에 기여한 공로를 인정받았다.
2013년 세계 최초로 20나노급 8Gb LPDDR3를 개발한 데 이어 2014년 고대역폭 확장 기술을 적용한 20나노급 8Gb 와이드 IO 모바일 D램을 업계 최초로 개발했다. 또 TSV 기반으로 HBM을 개발하고 세계 최초로 PUC(Peri Under Cell), 파이프리스(Pipeless), 더블스택 구조를 동시 적용한 3차원 낸드를 2018년 개발함으로써 SK하이닉스가 낸드플래시 시장에서 점유율을 개선하는 전기를 마련했다. 실제로 시장조사통계에서 2019년 SK하이닉스의 낸드 출하 증가율은 업계 1위를 차지했다. 김진국 부사장은 소재, 부품, 장비 국산화도 기여했다. 중소기업이 주관하는 정부 연구개발(R&D) 과제에 수요 기업으로 참여, 개발방향을 제시하고 평가지원을 통해 국산화를 촉진했다. 아울러 중기 육성 프로그램을 통해 유망기업을 발굴하고 개발자금 지원으로 기술경쟁력을 제고에 일조했다.
윤건일기자 benyun@etnews.com
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