삼성전자가 무선주파수(RF) 첨단 공정 기술을 앞세워 5세대(5G) 이동통신 반도체 파운드리 서비스 확대에 나섰다.
삼성전자는 9일 차세대 '8나노 RF(Radio Frequency) 공정 기술'을 개발했다고 밝혔다.
이를 통해 6㎓ 이하 대역부터 밀리미터파(mmWave)까지 5G 통신 반도체 시장을 적극 공략할 계획이다. 삼성전자는 2015년 28나노 RF 공정 서비스를 시작한 뒤 2017년 업계 최초 양산에 나선 14나노에 이어 이번에 8나노 공정 기술까지 확보했다.
삼성전자 8 나노 RF 파운드리는 멀티 채널·안테나를 지원하는 5G 통신용 RF 칩을 원칩 솔루션으로 제공한다. RF 칩은 모뎀칩에서 나오는 디지털 신호를 아날로그로 변환해 우리가 사용할 수 있는 무선 주파수로 바꿔주고 반대로 모뎀칩으로 전송하기도 하는 무선 주파수 송수신 반도체다.
삼성전자 8나노 RF 공정은 이전 14나노 공정 대비 RF 칩 면적을 약 35% 줄일 수 있다. 전력 효율도 약 35% 향상된다.
또 적은 전력을 사용하면서도 신호를 크게 증폭할 수 있는 RF 전용 반도체 소자 'RFeFET(RF extremeFET)'를 개발, 8나노 RF 공정에 적용했다. RFeFET의 전자가 흐르는 통로인 채널 주변부에 특정 소재를 적용하고 물리적인 자극을 통해 전자 이동 특성을 극대화했다. RF 칩의 전체 트랜지스터 수가 줄어들어 소비전력을 줄일 수 있고, 아날로그 회로 면적도 줄일 수 있다.
이형진 삼성전자 파운드리사업부 기술개발실 마스터는 “공정 미세화와 RF 성능 향상을 동시에 구현한 삼성전자 8나노 기반 RF 파운드리는 소형·저전력·고품질 통신 장점을 갖춰 고객들에 최적 솔루션을 제공할 것"이라며 ”삼성전자는 최첨단 RF 파운드리 경쟁력을 바탕으로 5G를 비롯한 차세대 무선통신 시장을 적극 대응해 나갈 것"이라고 말했다.
권동준기자 djkwon@etnews.com
