에이오이티(AOET)가 한국전자통신연구원(ETRI)과 협력, 질화갈륨(GaN) 반도체 기술 개발에 나선다.
에이오이티는 ETRI와 GaN 기술 개발 관련 연구 정보 공유와 인력 교류, 공동 세미나 개최 등 업무 협력을 추진한다고 27일 밝혔다.
GaN은 실리콘(Si) 반도체 대비 높은 내구성과 내열성으로 전력 반도체와 차세대 광통신, 자율주행차량 등 다양한 분야에서 주목받는 반도체 소재다. 에이오이티는 GaN 소자 제조 공정 단계를 줄이고 제조 원가를 절감할 수 있는 기술을 보유하고 있다.
에이오이티는 ETRI와 협력으로 400~1200V급 GaN 전력 반도체와 GaN 무선통신(RF) 반도체를 개발할 계획이다. 오상묵 에이오이티 대표는 “개발 프로젝트가 성공하면 제조 장치 투자 비용을 줄이고 실리콘 반도체 생산 원가 대비 10분의 1 수준으로 GaN 반도체를 만들 수 있을 것”이라면서 “향후 마이크로 LED 디스플레이에 적용하거나 한개 기판 위에 다양한 RGB 발광소자를 형성하는 등 활용 범위를 확대할 수 있다”고 기대했다.
권동준기자 djkwon@etnews.com
