키파운드리는 '0.18마이크로미터(마이크론) 30V 논-에피 BCD(바이폴라-CMOS-DMOS)' 공정을 출시했다고 9일 밝혔다. 특수용도 반도체 생산을 위한 에피택시(에피) 공정 없이도 기존 에피 BCD 공정과 동일한 성능을 구현했다. 고내압, 고신뢰성, 고효율이 요구되는 PMIC 공정에 유리하다.
해당 공정은 5~30V급 전압 소자를 지원한다. 에피 공정을 진행하지 않아 공정 효율이 높다. 에피 BCD 공정과 동일한 특성의 로직 소자를 구현, 현재 양산 중인 0.18마이크론 BCD 공정 디지털 라이브러리·반도체 설계자산(IP)과 호환할 수 있다. 추가 공정 없이 멀티타임프로그래머블(MTP)과 온타임프로그래머블(OTP) IP를 사용할 수 있어 편의성을 높였다.
키파운드리는 신 공정 개발 단계에서부터 전력 반도체 팹리스 고객과 밀접하게 소통하며 시장 요구사항을 적극 반영했다. 사용자 편의를 높이기 위해 고객 친화적 레이아웃 옵션과 디자인 키트도 제공한다. 스마트폰과 스마트워치용 DC-DC IC, 충전 IC 등 저전압 PMIC를 생산할 수 있다. 자동차 전자부품 신뢰성 평가 규정(AEC-Q100) 그레이드 1 규격을 만족, 차량용 전력 반도체 제품에도 활용 가능하다.
이태종 키파운드리 대표는 “최근 전력 반도체 시장이 빠르게 성장하면서 높은 수준의 신뢰성을 갖추면서도 간소화된 BCD 공정에 대한 파운드리 수요가 증가하고 있다”며 “키파운드리는 지속적인 공정 기술 향상으로 최적화된 BCD 공정을 제공하여 전력 반도체 설계 기업 요구를 만족시켜 나갈 것” 이라고 말했다.
권동준기자 djkwon@etnews.com
