세계 최대 반도체 연구소인 벨기에 아이멕이 향후 3년 내 '하이(High) NA' 극자외선(EUV) 노광 장비 양산 필요성을 강조했다. 2나노미터 이하 첨단 공정 진입 시 하이 NA EUV 장비 없이는 미세 회로 구현이 어렵다는 지적이다.
루크 반 덴 호브 아이멕 CEO는 최근 아이멕 로드맵을 발표하며 “현재 EUV 노광장비는 2나노미터 수준까지는 대응할 수 있지만 그 이상을 위해서는 다음 버전의 EUV가 필요하다”며 “3년 안에 하이 NA EUV 대량 생산이 필요해질 것”이라고 밝혔다. 아이멕은 다양한 첨단 반도체 기술을 연구개발(R&D)하는 기관으로 반도체 노광 공정 분야에서는 ASML과 자이스 등과 함께 EUV 기술을 고도화하고 있다.
루크 반 덴 호브 아이멕 CEO가 강조한 하이 NA는 EUV 노광 장비 렌즈와 미러 해상도를 높이기 위해 렌즈수차(NA)를 향상시킨 것을 의미한다. 해상력 향상으로 빛이 선명해지고 보다 미세한 반도체 회로를 구현할 수 있다. 현재 ASML EUV 장비 렌즈 수차는 0.33으로 하이 NA는 0.55 수준을 구현해야 한다.
EUV 장비를 독점 공급하는 ASML은 이르면 내년 첫 하이 NA EUV 장비를 선보일 예정이다. 인텔, TSMC, 삼성전자가 수요의 대부분을 차지할 것으로 전망된다. 인텔은 지난해 세계 최초로 하이 NA EUV 장비를 도입하겠다고 발표했다. 시점은 2025년이다. 그러자 TSMC는 지난 6월 하이 NA 장비를 이르면 2024년 조달하겠다고 발표했다. 인텔과 TSMC 간 치열한 경쟁이 예상되는 대목이다.
세계 최초 3나노 양산에 성공한 삼성전자는 시장 주도권을 선점하기 위해 2025년 2나노 양산도 준비 중이다. 나노 단위를 줄여갈 때마다 하이 NA EUV 필요성이 더욱 높아질 것으로 예상된다. 삼성전자는 하이 NA EUV 장비 도입과 관련 구체적인 일정을 공개하지 않았다.
권동준기자 djkwon@etnews.com
