미국 반도체 기업 울프스피드(옛 크리)가 노스캐롤라이나주 채텀 카운티에 대규모 실리콘카바이드(SiC) 웨이퍼 생산 시설을 짓는다. 기존 대비 생산 능력이 10배 이상 증가할 것으로 전망된다.
울프스피드는 13억달러를 투자, 2024년 1단계 건설 완료를 목표로 8인치 SiC 웨이퍼 공장을 설립한다. 1단계 건설 이후 향후 10년간 생산 능력 추가 확보에 나선다. 최종 건설 계획은 약 180만㎡ 부지에 생산 시설은 9만2000㎡ 크기로 SiC 웨이퍼 생산 기지 중 세계 최대 수준이다. 채텀 공장이 가동하면 울프스피드는 기존 더럼 SiC 소재 공장 생산능력보다 10배 많은 웨이퍼를 생산할 수 있다. 8인치 SiC 웨이퍼는 기존 대세였던 6인치 대비 웨이퍼 당 칩 생산 능력이 확대된다.
채텀 공장에서 생산된 SiC 웨이퍼는 울프스피드 뉴욕 모호크밸리 SiC 반도체 공장에 주로 공급될 예정이다. 울프스피드는 모호크밸리 SiC 반도체 공장 문을 열었다. 울프스피드 SiC 핵심 생산 거점으로 삼고 공격적으로 시장을 공략하고 있다.
권동준기자 djkwon@etnews.com
