도쿄일렉트론(TEL)이 게이트올어라운드(GAA) 공정, 하이 NA(High NA) 극자외선(EUV) 공정 등 차세대 3나노 반도체 장비 혁신 기술을 공개했다.
박영우 TEL코리아 최고기술책임자(CTO)는 19일 테크코리아 2022 주제 발표에서 “고선택비 식각 공정 장비를 상용화했다”며 “성능이 보다 강화된 3나노 이하 반도체 식각 장비도 개발하고 있다”고 말했다.
고선택비 식각(High selectivity etch)은 반도체 회로 패턴을 그릴 때 불필요한 부분을 제거하는 기술이다. 식각비가 높을수록 원하는 물질을 매우 정밀하게 깎아낼 수 있다.
박 CTO는 TEL 식각 장비로 GAA 나노 시트 모양을 구현하는데, 다양한 물질 가운데 실리콘게르마늄(SiGe)층과 같은 불필요한 물질만 제거할 수 있다고 설명했다.
박 CTO는 GAA 구조에서 식각 장비 수요가 증가할 것으로 전망했다. 삼성전자가 GAA 1세대(GAE)를 나노 시트 방식으로 구현하고 TSMC와 인텔이 현존 대세인 핀펫 구조 대신 GAA 독자 기술을 도입할 방침이다.
TEL은 EUV 시대에 차세대 트랙 장비도 개발 완료 단계에 있다고 밝혔다. 무기물(MOL) 기반 트랙 장비는 하이 NA EUV 노광 장비 해상도를 높일 수 있다. 하이 NA는 글로벌 장비 업체 ASML이 개발한 신규 노광 장비다. 현재 EUV 장비보다 초미세 회로 패턴을 구현할 수 있는 장비다. 빛의 집광 능력을 키워 미세 회로를 구현할 수 있다. 최근 인텔이 반도체를 직접 생산하기 위해 ASML 하이 NA EUV 장비를 공급받기로 하면서 주목받고 있다. TEL은 유기물(CAR) 트랙 장비 대비 EUV 흡수율을 높여 초미세 회로 패턴을 구현하는 트랙 장비를 개발하고 있다. 박 CTO는 “조만간 MOL 트랙 장비를 양산할 것”이라고 말했다.
TEL은 주력 제품인 트랙 장비 등 제품 포트폴리오를 확대해 매출를 늘릴 계획이다. 초미세 반도체 생산에 반드시 필요한 EUV 시장 변화에 대응해 제품을 업그레이드한다. TEL은 국내 반도체 시장 장비 투자도 확대하고 있다.
TEL의 주요 고객사는 삼성전자, SK하이닉스다. 내년까지 1000억원을 추가 투입해 반도체 주요 공정 연구개발(R&D) 인프라를 강화한다. 국내 반도체 기업과 협력을 강화해 국내외 반도체 장비 시장을 선점하겠다는 계획이다.
김지웅기자 jw0316@etnews.com
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