SK하이닉스가 작동 속도 8Gbps를 구현한 서버용 D램 제품을 개발했다. 데이터 전송 단위를 두 배 늘려 속도가 80% 이상 빨라졌다.
SK하이닉스는 8일 세계 최초로 서버용 D램 'DDR5 MCR DIMM(Multiplexer Combined Ranks Dual In-line Memory Module)' 샘플 개발에 성공했다고 밝혔다. MCR DIMM은 여러 개 D램을 기판에 결합한 모듈 제품이다.
SK하이닉스는 DDR5 동작 속도를 높이기 위해 모듈 정보 처리 단위인 랭크가 두 개 동시 작동하도록 개선했다고 설명했다. 그간 업계는 D램 단품 작동 속도를 높이는 데 집중했다. SK하이닉스는 MCR DIMM에 탑재한 데이터 버퍼를 사용해 랭크가 동시 작동하도록 설계했다.
버퍼는 D램과 중앙처리장치(CPU) 신호 전달 성능을 최적화하는 역할을 한다. 고성능과 안정성이 요구되는 서버용 D램 모듈에 주로 탑재된다. 기존 D램 모듈은 한 개 랭크에서 64바이트 데이터가 전송됐다. MCR DIMM에서는 두 개 랭크가 동시 작동해 128바이트가 CPU에 전달된다. 작동 속도가 초당 8Gb로 기존 4.8Gb인 서버용 DDR5보다 속도가 80% 이상 향상됐다.
SK하이닉스는 이 제품 개발에 인텔과 일본 르네사스와 긴밀히 협업했다고 강조했다. SK하이닉스 모듈 설계 역량에 인텔 서버 CPU와 르네사스 버퍼 기술력을 융합했다. 데이터 버퍼는 모듈에서 보내는 다수 신호를 중간에서 전송하고, 서버 CPU는 데이터 버퍼를 거친 신호를 처리한다.
SK하이닉스는 향후 고성능 컴퓨팅 시장에서 MCR DIMM의 수요가 크게 늘어날 것으로 예상했다. 고객 수요가 본격화되는 시점에 제품을 양산할 계획을 세웠다.
류성수 SK하이닉스 부사장(D램상품기획담당)은 “세계 최고 속도 MCR DIMM 개발로 다시 한번 DDR5 기술력 진화를 이뤄냈다”며 “앞으로도 기술한계 돌파에 앞장서 서버용 D램 시장 1등 경쟁력을 확고히 다질 것”이라고 말했다.
디미트리오스 지아카스 인텔 메모리 IO(Input/Output) 기술부문 부사장은 “인텔은 SK하이닉스와 차세대 서버 CPU에 최적화된 초고속 제품 개발을 주도했다”며 “양사는 MCR DIMM의 표준화와 후속 제품 개발에 긴밀히 협업할 것”이라고 말했다.
사미르 쿠파할리 르네사스 메모리 인터페이스 부문 부사장은 “르네사스가 개발한 데이터 버퍼는 제품의 구상부터 완성까지 3년 동안 여러 기술이 집약된 노력의 결실”이라며 “SK하이닉스, 인텔과 협업해 혁신적인 제품을 개발하게 되어 자랑스럽다”고 말했다.
송윤섭기자 sys@etnews.com
