SK하이닉스가 321단 4D 낸드플래시 샘플을 공개하고 2025년 상반기부터 양산한다.
SK하이닉스는 8일(현지시간) 미국 산타클라라에서 개막한 세계 최대 낸드플래시 콘퍼런스 '플래시 메모리 서밋(FMS) 2023' 행사에서 세계 최초로 300단 이상 낸드 개발을 진행하고 있다고 밝혔다. 321단 1테라비트(Tb) TLC(Triple Level Cell) 4D 낸드플래시 개발 경과를 소개하고 샘플을 전시했다.
낸드플래시는 1개 셀에 몇 개의 정보(비트 단위)를 저장하느냐에 따라 규격이 나뉜다. SLC(Single Level Cell)는 1개, MLC(Multi Level Cell)는 2개, TLC는 3개, QLC(Quadruple Level Cell)는 4개, PLC(Penta Level Cell)는 5개 등으로 나타낸다. 정보 저장량이 늘어날수록 같은 면적에 더 많은 데이터를 저장할 수 있다.
메모리 업계에서 300단 이상 낸드의 구체적인 개발 경과를 공개한 것은 SK하이닉스가 처음이다. SK하이닉스는 321단 낸드 완성도를 높여 2025년 상반기 양산을 목표로 제시했다.
SK하이닉스는 “현존 최고층 238단 낸드 양산으로 축적한 기술력을 바탕으로 321단 낸드 개발을 순조롭게 진행하고 있다”며 “적층 한계를 다시 한번 돌파해 SK하이닉스가 300단 이상 낸드 시대를 열고 시장을 주도할 것”이라고 전했다.
321단 1Tb TLC 낸드는 이전 세대인 238단 512Gb 대비 생산성이 59% 높아졌다. 데이터를 저장하는 셀을 더 높은 단수로 적층, 1개의 칩으로 더 큰 용량을 구현할 수 있어 웨이퍼 한 장으로 생산할 수 있는 전체 용량을 늘렸다.
생산성과 성능 강화로 생성형 인공지능(AI) 등 AI 기술 개발 및 서비스 운영에 필요한 메모리 수요를 충족시킬 계획이다. 실제 AI·고성능 컴퓨팅(HPC) 등 보다 많은 데이터를 더 빠르게 처리하고 저장하기 위한 고성능·고용량 메모리 수요가 산업 전반에 급증하고 있다.
SK하이닉스는 신규 메모리 수요에 최적화된 차세대 낸드 솔루션 제품 PCIe 5세대(Gen5) 인터페이스를 적용한 기업용 SSD(eSSD)와 UFS 4.0도 FMS 2023에서 소개했다. 고성능 솔루션을 필요로 하는 고객사 요구를 충족한다는 복안이다. 또 다음 세대인 PCIe 6세대와 UFS 5.0 개발에 착수한 사실을 발표, 업계 기술 트렌드를 지속 선도하겠다는 의지도 나타냈다.
최정달 SK하이닉스 NAND개발담당 부사장은 “SK하이닉스는 4D 낸드 5세대 321단 제품을 개발해 낸드 기술 리더십을 공고히 할 계획”이라며 “AI 시대가 요구하는 고성능·고용량 낸드를 시장에 주도적으로 선보이는 등 혁신을 이끌어가겠다”고 말했다.
박종진 기자 truth@etnews.com