삼성전자가 업계 최초 12나노급 32기가비트(Gb) DDR5 D램을 개발, 연내 양산을 시작한다.
32Gb는 D램 단일 칩 기준 역대 최대 용량이다. 삼성전자는 1983년 64킬로비트(Kb) D램을 개발한 지 40년 만에 D램 용량을 50만배 늘렸다.
삼성전자는 실리콘관통전극(TSV) 공정 없이 동일 패키지 사이즈에서 아키텍처 개선을 통해 16Gb D램 대비 2배 용량을 구현했다. 기존에는 32Gb 이하 용량으로 128GB 모듈을 제작할 경우 TSV 공정을 필수적으로 사용해야 했다.
또 동일 128GB 모듈 기준 16Gb D램을 탑재한 모듈 대비 약 10% 소비 전력 개선이 가능해 데이터센터 등 전력 효율을 중요시하는 IT 기업에 최적의 솔루션이 될 것으로 예상된다.
삼성전자는 고용량 D램 라인업을 지속 확대하며 D램 미세공정 경쟁에서 기술 리더십을 공고히 할 계획이다. 인공지능(AI) 시대를 주도할 고용량·고성능·저전력 제품으로 글로벌 IT 기업과 협력, 차세대 D램 시장을 견인한다.
황상준 삼성전자 메모리사업부 D램개발실장(부사장)은 “12나노급 32Gb D램으로 향후 1TB 모듈까지 구현할 수 있는 솔루션을 확보하게 됐다”며 “삼성전자는 차별화된 공정과 설계 기술력으로 메모리 기술 한계를 극복해 나갈 것”이라고 말했다.
박종진 기자 truth@etnews.com
