SK하이닉스가 HBM3E 16단 제품 패키징에서도 12단 제품 양산과 유사한 수준의 검증 수율을 달성했다고 밝혔다. 내년 초 샘플 공급을 시작으로 시장 수요에 적극 대응한다는 방침이다.
권종오 SK하이닉스 프로젝트리더(PL)은 5일 서울 코엑스에서 열린 'SK AI 서밋'을 통해 “HBM3E 16단 제품 패키징 검증 수율은 12단 제품 양산 수율의 99% 수준”이라고 말했다.
전작인 12단 제품의 패키징 수율을 구체적으로 밝히지 않았지만, 개발 단계에서 이와 동등한 수준의 검증 수율을 확보했다면서 향후 성공적 양산에 대한 자신감을 피력한 것이다.
고대역폭메모리(HBM)는 D램을 수직으로 적층해 대역폭 성능을 끌어올린 제품이다. SK하이닉스는 12단 제품에 적용한 '어드밴스드 매스 리플로우 몰디드언더필(MR-MUF)' 기술 기반으로 16단 제품을 개발했다. 반도체 칩을 쌓은 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위한 액체 형태의 보호재를 주입하고 굳히는 방식이다.
SK하이닉스는 D램을 4개 더 쌓지만 칩 간 간격을 12단 제품 대비 50% 줄여 국제반도체표준협의기구(JEDEC) HBM 높이 제한인 775마이크로미터(㎛) 기준을 충족했다. D램 칩 간 사이가 좁아졌지만 소재, 장비 등을 개선해 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC) 효과적으로 주입하는 데 성공했다.
권 PL은 “어드밴스드 MR-MUF 기술은 단이 올라가더라도 수율이 급감하는 기술이 아니다”라며 “향후 20단 제품들도 어드밴스드 MR-MUF와 하이브리드 본딩 기술을 병행해 개발하고 적합한 기술을 적용할 예정”이라고 강조했다.
박진형 기자 jin@etnews.com
