삼성전자의 첫 번째 해외 메모리 생산거점 시안 팹을 본격 가동한다.
삼성전자(대표 권오현)는 산시성 시안시에서 산시성 성위서기 자오쩡융, 산시성 성장 러우친젠, 공신부 부장 먀오웨이, 국가발개위 부주임 쉬셴핑, 권영세 주중 한국대사, 전재원 주시안 총영사, 권오현 부회장 등 삼성전자 경영진이 참석한 가운데 시안 팹 준공식을 진행했다고 9일 밝혔다.
시안 팹은 지난 2012년 9월 착공한지 20개월만에 완공됐다. 총 34.5만평의 부지에 연면적 7만평 규모로 건설됐다. 삼성전자는 시안 팹에서 10나노급 낸드플래시(V낸드)를 생산한다.
삼성전자는 시안 팹 완공으로 한국-중국-미국을 잇는 ‘글로벌 반도체 생산 3거점 체제’를 구축했다.
시안은 1100여 년간 여러 왕조의 수도 역할을 담당한 도시다. 과거 동서양 문물을 연결하는 실크로드의 출발점으로 꼽힌다.
러우친젠 산시성 성장은 “삼성 프로젝트가 성공적으로 마무리 됐다”며 “산시성은 앞으로도 삼성과 그 협력사들의 발전을 지원하며 협력관계를 강화할 것”이라고 말했다.
삼성전자 시안 팹이 정상 가동되면서 현지 진출한 국내 협력사는 현재 60여개에서 향후 100개 이상으로 확대될 전망이다.
권오현 부회장은 “과거 시안에서 출발한 실크로드가 동서양 문명 교류의 핵심 역할을 했던 것처럼 한국과 중국의 협력으로 탄생한 이 곳 시안 공장이 ‘21세기 디지털 실크로드’의 출발점이 되기를 희망한다”고 말했다.
한편 삼성전자는 올해 안에 후공정(반도체 테스트 및 패키징) 라인까지 완공해 완벽한 일관생산체제를 완성할 계획이다.
이형수기자 goldlion2@etnews.com