삼성전자가 세계 처음 20나노 공정을 적용한 6기가비트(Gb) 모바일 D램을 양산했다.
지난 3월 업계 최초로 PC용 20나노 4Gb DDR3 D램을 양산한 데 이어 모바일 D램에도 20나노 공정 기술을 도입하는데 성공했다.
20나노 공정을 적용한 6Gb LPDDR3 모바일 D램은 기존 제품보다 훨씬 얇고 작을 뿐 아니라 초당 2133Mb의 데이터 전송 속도를 구현했다. 소비전력도 훨씬 줄었다. 삼성전자는 6Gb 모바일 D램 4개를 패키징해 3GB 제품으로 출시한다. 애플리케이션프로세서(AP)와 패키지온패키지(PoP) 형태로 프리미엄 스마트폰에 탑재한다는 목표다. 조만간 8GB·6GB·4GB 20나노 모바일 D램 제품도 연이어 출시할 계획이다.
삼성전자는 20나노 모바일 D램으로 프리미엄 스마트폰·태블릿PC뿐 아니라 웨어러블 기기 등 반도체 수요가 급증하는 대용량 모바일 D램 시장을 타깃으로 영업을 강화할 계획이다.
삼성전자 공세에 맞선 경쟁사 SK하이닉스의 움직임도 빨라지고 있다. SK하이닉스는 연내에 20나노 수준 D램 개발을 완료하고, 양산 준비를 마칠 방침이다. SK하이닉스 역시 PC용 D램 양산을 먼저 시작한 후 모바일 D램으로 이어갈 것으로 예상된다. 자연스레 연말을 기점으로 20나노 D램 시장을 선점하기 위한 메모리 업체간 경쟁이 더욱 치열해질 전망이다.
백지호 삼성전자 메모리사업부 마케팅팀장(상무)은 “20나노 모바일 D램은 최근 급성장하고 있는 고성능 모바일 시장을 선도할 제품”이라며 “향후에는 보급형 모바일 기기에도 적용할 수 있는 20나노 차세대 솔루션을 공개할 것”이라고 말했다.
이형수기자 goldlion2@etnews.com