SK하이닉스(대표 박성욱)가 차세대 반도체 제조기술 ‘실리콘관통전극(TSV)’을 활용한 생산라인 구축을 마치고 내년 초 제품 양산에 돌입한다. 메모리 반도체 호황이 계속되는 가운데 회사가 좋은 실적을 바탕으로 차세대 기술 경쟁력 강화에 속도를 높이고 있다는 관측이다.
22일 반도체 업계에 따르면 SK하이닉스는 경기도 이천 공장에 TSV 생산라인을 구축해왔다. TSV(Through Silicon Via)는 2개 이상의 칩을 수직 관통하는 전극을 형성해 칩 간 전기적 신호를 전달하는 반도체의 새로운 패키지 방식이다. 성능은 높이면서 크기를 줄일 수 있는 것이 강점으로 꼽힌다.
현재 SK하이닉스 수준은 일부 시험 가동까지 마친 상태로 언제든 양산에 나설 수 있는 단계까지 도달한 것으로 알려졌다. 이 회사는 올해 TSV 공정에 필요한 장비를 순차적으로 도입했다.
SK하이닉스 관계자는 “새해 TSV를 활용해 서버용 DDR4 D램, 초고속메모리(HBM) 등의 대응에 나설 것”이라며 “다만 시제품 생산이나 대량 양산 개시 등은 고객사와의 조율이 필요한 만큼 본격 양산 시점은 확언할 수 없다”고 말했다.
SK하이닉스는 TSV에 큰 기대를 걸고 있다. 삼성전자는 지난 8월부터 TSV를 적용한 64GB DDR4 D램 양산을 시작했다. 시점이 조금 늦었지만 SK하이닉스는 128GB DDR4 개발까지 마친 상태다. 128GB급 양산에서는 삼성전자를 앞설 가능성이 있다.
SK하이닉스는 지난 연말 TSV를 적용해 개발한 ‘초고속메모리(HBM:High Bandwidth Memory)’의 시장 확대에도 관심이 높다. HBM은 고성능, 저전력이 특징으로 TSV 기술을 활용해 20나노급 D램을 4단으로 적층해 만든다. 기술 검증을 위해 AMD와 협력 중이다. 초고속메모리를 SoC(System on Chip)와 같이 탑재해 한 시스템을 이루는 SiP(System in Package) 형태로 양산을 준비해왔다.
반도체 업계 관계자는 “SK하이닉스가 TSV와 나노임프린트리소그래피(NIM) 등 반도체 차세대 기술 확보와 도입에 박차를 가하고 있다”며 “그동안의 ‘2인자 전략’을 넘어 차세대 반도체 주도권을 잡겠다는 의지가 반영된 것”으로 진단했다.
김승규기자 seung@etnews.com