[2015 국내 핫이슈]반도체 나노 전쟁 시작했다

2014년 세계 반도체 시장은 그 어느 해보다 호황을 누렸다. 동시에 10나노미터급 반도체 기술 개발과 양산 준비에 바쁜 한 해를 보냈다.

삼성전자가 14나노 핀펫(FinFET) 기술을 적용한 시스템반도체 양산을 시작했고 새해에는 대만 TSMC도 내년 중 16나노 핀펫플러스 공정 양산라인을 가동할 예정이다. 이에 따라 새해는 미세공정 라인의 양산과 이에 따른 수율 경쟁이 치열해질 전망이다.

메모리반도체 시장에서는 3차원 실리콘관통전극(TSV) 기술을 적용한 서버용 DDR4 D램 경쟁이 시작한다. 삼성전자가 지난해 TSV를 적용한 64GB DDR4 D램을 양산했으며 새해 SK하이닉스도 양산을 시작한다. 특히 128GB 대용량 DDR4 개발을 마친 상태여서 이 분야에서 삼성전자보다 기술 우위를 점하겠다는 목표다. TSV를 적용해 20나노급 D램을 4단으로 적층한 초고속메모리(HBM) 양산도 앞뒀다.

배옥진기자 withok@etnews.com