인텔이 총 55억달러(약 6조2200억원)를 투자해 중국 다롄에 차세대 3D 낸드플래시 메모리 생산 기반을 갖춘다. 3D 낸드는 물론이고 3D크로스포인트 기술 기반 솔리드 스테이트 드라이브(SSD) 생산도 점쳐진다.
인텔은 지난 2010년부터 중국 다롄에서 운영한 65나노미터 기반 프로세서 생산 팹을 3D 낸드 팹으로 전환하고자 5년간 최고 55억달러를 투자한다고 21일(현지시각) 밝혔다.
향후 3~5년간 최저 35억달러에서 최고 55억달러를 투입할 것으로 내다봤다. 2세대 이상 뒤처진 기술 기반 팹이지만 이번 투자로 비휘발성 메모리 시장에서 ‘리딩 엣지’ 팹으로 만든다는 계획이다.
인텔은 다롄 팹에서 내년 하반기 3D 낸드를 초기 생산해 전체 낸드 생산량을 늘린다는 목표다. 3D 낸드와 SSD 개발을 위해 마이크론과 합작법인을 설립하기도 했다. 마이크론과 함께 차세대 메모리 기술 ‘3D크로스포인트’를 선보이며 기존 메모리 반도체 시장에 지각변동도 예고했다.
인텔은 마이크론뿐만 아니라 다롄 팹을 중심으로 다양한 글로벌 기업과 플래시메모리 사업에서 협력한다.
롭 크루그 인텔 비휘발성메모리 솔루션그룹 수석부사장은 “여전히 마이크론과 협력 관계는 강력하지만 인텔은 더 많은 플래시메모리 공급 소스를 원한다”고 언급했다. 또 “이번 다롄 팹 확대는 글로벌 멀티소스 공급 전략 일환이며 인텔 고객사에 최고의 결과물을 제공하게 될 것”이라고 말했다.
이번 투자에 기반을 두고 3D크로스포인트 기술 기반 차세대 낸드플래시도 중국에서 생산할 가능성이 높아졌다. 인텔은 내년 옵테인 SSD를 시장에 공급할 계획이다.
배옥진기자 withok@etnews.com
