삼성전자가 28나노 완전 공핍형 실리콘 온 인슐레이터(FD-SOI) 파운드리 분야에서 성과를 냈다.
삼성전자는 25일 NXP와 28나노 FD-SOI 공정에 M램을 내장하는 파운드리 서비스 계약을 체결하고 테스트칩을 테이프아웃(Tape-out)했다고 발표했다. 테이프아웃은 새로운 칩 설계의 마지막 단계로 칩 생산을 위한 포토마스크가 완성됐음을 의미한다.
<본지 4월 25일자 1면 기사 참조>
차세대 메모리 반도체인 M램은 자성 물질 구조를 이용한 비휘발성 메모리로 빠른 속도는 물론 낮은 소비전력과 강한 내구성이 특징이다. 당초 삼성전자는 M램을 낸드플래시와 같은 단품으로 판매하려 했으나 시장 개화 속도가 느려지고 있다는 판단 아래 파운드리 서비스에 접목하는 방향으로 전략을 바꿨다.
FD-SOI는 중보급형 반도체 파운드리 서비스를 위해 삼성전자가 최근 역량을 집중하고 있는 기술이다. 실리콘웨이퍼 위에 매우 얇은 절연 산화막을 형성하고 그 위로 평면형 트랜지스터 전극을 구성하는 것이 FD-SOI 공정 핵심이다. 절연 산화막은 트랜지스터 아래쪽 공간을 완전히 밀폐(공핍)해 전자가 게이트를 거쳐 이동할 때 발생하는 누설 전류를 감소시킨다. 일반 평면 게이트 반도체와 비교하면 작동전압이 낮아 에너지 효율성도 높다.
이상현 삼성전자 파운드리 마케팅팀 상무는 “삼성전자는 28나노 FD-SOI 공정 양산을 시작했으며 현재 다양한 고객과 함께 40개 이상 제품을 테이프아웃했다”면서 “향후 18나노 FD-SOI 영업까지 강화해 더 많은 고객이 삼성전자 FD-SOI 공정을 이용하게 될 것”이라고 말했다.
정은승 삼성전자 파운드리 사업부장(부사장)은 오는 26일 중국 상하이에서 열리는 FD-SOI 기조연설에서 기술 로드맵과 개발 현황, 공정 경쟁력을 소개할 예정이다.
한주엽 반도체 전문기자 powerusr@etnews.com