키파운드리는 자사 0.18 마이크로미터(마이크론) 고전압 BCD(바이폴라-CMOS-DMOS) 공정으로 반도체 팹리스 기업이 제품 양산에 돌입했다고 28일 밝혔다.
BCD 공정은 아날로그 신호 제어를 위한 바이폴라, 디지털 신호 제어를 위한 CMOS, 고전력 처리를 위한 DMOS를 하나의 칩에 구현한 공정 기술이다. 고내압, 고신뢰성, 낮은 전자기 간섭 등 강점으로 각종 전력 반도체에 많이 쓰인다. 최근 전자기기 전력 효율 개선 시도가 잇따르면서 BCD 공정 수요도 크게 늘었다.
키파운드리는 0.18 마이크로미터 BCD 공정에 8~150V급 다양한 동작 전압의 전력 소자를 제공한다. 100V와 150V급 고전압 전력 소자는 스마트폰, 노트북 등에 사용되는 배터리 충전용 집적회로(IC) 성능을 향상시킬 수 있다. USB 타입C 단자를 사용한 배터리 충전 경우, 60V급 BCD 공정에서는 전력 전달 용량이 100와트 수준이지만 150V BCD 공정에서는 240와트까지 전력을 전달하는 고속 배터리 충전용 IC를 설계할 수 있다. 키파운드리 150V BCD 공정은 낮은 온 저항 전력 소자를 제공, 팹리스 반도체 면적을 줄이고 전력 효율성을 높일 수 있다.
산업용 고전력 모터에 필요한 모터 드라이버 IC 설계도 고전압 BCD 공정이 유리하다. 키파운드리는 전력 공급 제어와 출력 보정을 위한 SRAM, ROM, MTP, OTP 등 다양한 메모리 소자 옵션도 제공한다. 통신장비와 산업기기 고전력 전압변환 IC에 적용할 수 있는 200V급 고전압 소자를 하반기 제공할 계획이다.
키파운드리 공정은 자동차 전자부품 신뢰성 평가 규정(AEC-Q100 그레이드-0)을 만족, 차량용 모터 드라이버 IC와 차량용 DC-DC IC, 차량용 LED 드라이버 IC 등에도 적용할 수 있다.
이태종 키파운드리 대표는 “최근 전력 반도체 시장에서 고속 전력 전달과 높은 전력 효율을 위해 100V 이상의 BCD 공정 수요가 증가하고 있다”면서 “키파운드리는 지속적으로 공정 기술을 개발, 전력 반도체 팹리스 고객 요구에 부응하겠다”고 말했다.
권동준기자 djkwon@etnews.com
