삼성전자가 세계 최초로 차세대 트랜지스터 기술 '게이트올어라운드'(GAA)를 적용한 3나노미터 파운드리 제품을 출하했다. 삼성전자는 25일 경기도 화성 캠퍼스 V1라인에서 3나노 파운드리 제품 출하식을 개최했다. 3나노 반도체 제품 양산은 삼성전자가 처음이다. 고객은 중국 주문형반도체(ASIC) 기업인 것으로 알려졌다. 고성능컴퓨팅(HPC)용 반도체 칩을 양산했다.
경계현 삼성전자 DS부문장 대표이사는 “삼성전자는 이번 제품 양산으로 파운드리 사업 역사에 한 획을 그었다”면서 “핀펫 트랜지스터가 기술적 한계에 다다랐을 때 새로운 대안이 될 GAA 기술의 조기 개발에 성공한 것은 무에서 유를 창조하는 혁신적인 결과”라고 강조했다. 삼성전자는 이번 양산으로 '핀펫'에서 10여년 만에 차세대 트랜지스터 구조로 대전환하는 데 성공했다.
삼성전자 파운드리 사업부는 HPC용 제품에 이어 모바일 시스템온칩(SoC) 등 다양한 제품에 GAA 3나노 공정을 적용한다. 기존 고객인 삼성전자 시스템LSI 사업부와 퀄컴 등 글로벌 애플리케이션프로세서(AP) 제조사를 3나노 생태계 안에 품을 것으로 예상된다. 늘어나는 첨단 공정 수요에 대응, 화성 캠퍼스에 이어 평택 캠퍼스에도 3나노 GAA 파운드리 공정 라인을 추가 구축한다.
이창양 산업통상자원부 장관은 “치열한 미세공정 경쟁에서 앞서기 위해 삼성전자와 시스템반도체 업계, 소재·부품·장비(소부장) 업계가 힘을 모아 달라”면서 “정부도 지난주 발표한 '반도체 초강대국 달성전략'을 바탕으로 민간 투자 지원, 인력 양성, 기술 개발, 소부장 생태계 구축에 전폭적인 노력을 아끼지 않을 것”이라고 밝혔다.
이날 출하식에서는 산업부와 삼성전자 임직원, 협력사와 팹리스 등 100여명이 참석했다. 정기태 삼성전자 파운드리사업부 기술개발실장 부사장이 기술 개발 경과보고를 통해 파운드리사업부, 반도체연구소, 글로벌 제조&인프라총괄 등 사업부를 넘어선 협업으로 기술 개발 한계를 극복한 점을 강조했다. 삼성전자 파운드리사업부는 '혁신적인 기술력으로 세계 최고를 향해 나아가겠습니다'라는 자신감과 함께, 3나노 GAA 공정 양산과 선제적인 파운드리 기술로 사업 경쟁력을 강화해 나가겠다는 포부를 밝혔다.
이현덕 원익IPS 대표는 “삼성전자와 함께 3나노 GAA 파운드리공정 양산을 준비하며 원익IPS 임직원의 역량도 한 층 더 강화됐다”며 “국내 반도체 장비 산업 발전을 위해 삼성전자와 함께 최선의 노력을 다하겠다”고 밝혔다. 이장규 텔레칩스 대표는 “텔레칩스는 삼성전자의 초미세공정을 활용한 미래 제품 설계에 대한 기대감이 크다”며 “삼성전자는 초미세 파운드리 공정을 국내 팹리스에 적극 제공하며 팹리스가 제품 설계 범위를 넓혀갈 수 있도록 다양한 지원책을 제공하고 있다”고 말했다.
권동준기자 djkwon@etnews.com
