삼성전자가 업계 최선단 12나노급(5세대 10나노급) 공정을 적용한 D램으로 차세대 D램 시장을 주도한다. AMD 호환성 검증을 마친 차세대 D램을 새해 출시한다. 약 20% 높아진 생산성과 전력 효율로 데이터센터·인공지능(AI)·고성능 컴퓨팅(HPC) 등 성장성이 높은 시장을 공략한다.
삼성전자는 업계 최초 12나노급 공정으로 16Gb DDR5 D램을 개발했다. 새로운 제품에 대해 AMD와 호환성 검증도 마쳤다. 지난해 10월 업계 최초로 14나노 DDR5 D램을 개발한 삼성전자는 12나노급 D램도 최초로 선보였다. 삼성전자는 1992년 D램 시장 점유율 1위에 등극한 이후 30년째 선두자리를 지키고 있다.
삼성전자는 유전율이 높은 신소재를 적용했다. 전하를 저장하는 커패시터 용량이 늘어났다. 회로 특성을 개선한 설계로 최선단 공정을 완성했다. 12나노급 D램에 다층 극자외선(EUV) 기술도 활용했다. 삼성전자는 이전 세대 제품 대비 생산성이 약 20% 증가했다고 설명했다.
DDR5 D램은 최대 작동 속도 7.2Gbps를 지원한다. 1초에 30GB 용량 UHD 영화 2편을 처리할 수 있는 속도다. 소비 전력 역시 약 23% 개선됐다. 삼성전자는 기후 위기 극복에 동참하는 글로벌 정보기술(IT) 기업에 활용도가 높아질 것으로 기대했다.
삼성전자는 새해 12나노급 D램을 양산한다. 새해 데이터센터 증설이 확대되며 신규 중앙처리장치(CPU)에 DDR5 탑재가 늘어날 것으로 전망된다. 삼성전자 12나노급 D램은 AMD 젠 아키텍처 CPU에 채용될 것으로 보인다.
삼성전자는 글로벌 IT 기업과 협력해 차세대 D램 시장을 주도한다는 목표를 세웠다. 성능과 전력 효율을 지속 개선해 12나노급 D램 라인업을 확대한다. 데이터센터·AI·차세대 컴퓨팅 등 미래 컴퓨팅 시장에 차세대 D램을 공급할 계획이다.
이주영 삼성전자 메모리사업부 D램개발실장(부사장)은 “업계 최선단 12나노급 D램은 본격적인 DDR5 시장 확대 기폭제가 될 것”이라며 “차별화된 공정 기술력으로 개발된 제품은 뛰어난 성능과 높은 전력 효율로 고객의 지속 가능한 경영 환경을 제공할 것”이라고 말했다.
조 매크리 AMD 최고기술책임자(CTO)는 “기술 한계를 뛰어넘는 혁신을 위해서는 업계 파트너와 긴밀한 협력이 필요하다”며 “AMD 젠 플랫폼에서 DDR5를 검증하고 최적화하는데 삼성과 협력할 것”이라고 말했다.
송윤섭기자 sys@etnews.com
