ASML의 차세대 극자외선(EUV) 노광장비가 첫 출하됐다. 2나노미터(nm) 이하 초미세 회로를 구현하는데 필요한 하이 NA 장비로, 인텔 반도체 제조공장(팹)에 적용된다.
21일 ASML은 사회관계망서비스(SNS)에 “최초로 하이 NA EUV 시스템을 인텔에 배송한다”고 밝혔다. 장비는 미국 오레곤에 위치한 인텔 DX1 팹에 적용되는 것으로 알려졌다. 앞서 팻 겔싱어 인텔 CEO는 하이 NA EUV 장비 첫 납품처가 인텔이라고 공식화한 바 있다.
하이 NA EUV 장비는 기존 EUV 장비의 렌즈 개구수를 0.33에서 0.55로 끌어올려 초미세 회로를 웨이퍼에 새길 수 있는 노광장비다. 빛 집광 능력이 높아 훨씬 세밀한 반도체 회로를 그릴 수 있다. 업계에서는 2nm 이하 초미세 공정에 하이 NA EUV 장비가 필수로 보고 있다.
ASML은 하이 EUV 장비 대량 양산 시점을 이르면 내년이나 2025년으로 계획하고 있다. EUV 장비 납품이 1년에 수십대에 불과해 반도체 제조사 간 하이 NA EUV 장비 확보전은 불가피할 전망이다. TSMC 역시 하이 NA EUV 장비를 발주했고, 국내에서는 삼성전자와 SK하이닉스가 해당 장비를 주문한 상태다.
가격도 비싸졌다. 기존 EUV 장비는 2000억~3000억원, 하이 NA EUV 장비는 5000억원에 달할 것으로 추정된다. 반도체 업계 관계자는 “하이 NA EUV 장비는 가격 뿐 아니라 무게도 상당해 반도체 제조사가 팹에 적용하기 위한 설비 구축·운용 전략에 변화를 줄 것”이라고 밝혔다.
권동준 기자 djkwon@etnews.com
