현대전자(대표 김영환)는 기존 3세대 제품보다 생산성이 2배 이상 향상된 64M 싱크로너스 D램 4세대 제품을 개발, 다음달부터 본격 양산한다고 28일 밝혔다.
이천공장과 미국 유진공장에서 동시에 생산할 이 제품은 0.22㎛(1미크론:1백만분의1m)의 미세회로선폭 공정을 적용, 기존 3세대 제품보다 칩 크기를 절반 이하로 줄였으며 웨이퍼 1장당 생산되는 칩의 숫자(넷다이수)는 2배 이상 늘었다.
특히 이번에 양산하는 제품은 기존 제품에 비해 정보처리속도가 30% 정도 향상돼 전량 PC100용으로 공급된다.
현대전자는 다음달부터 월 1백만개 규모로 생산을 시작해 99년에는 월 4백만개 이상으로 생산량을 늘릴 예정이다. 이어 99년 하반기에는 넷다이수가 5백개인 제품과 6백개인 제품을 개발, 양산할 계획이다.
<최승철 기자>
