삼성전자가 극자외선(EUV) 노광 공정을 적용한 14나노 D램 양산에 들어갔다고 12일 밝혔다.
EUV는 반도체 회로를 보다 세밀하게 구현할 수 있는 노광 기술이다. D램 생산 공정에 적용 시 성능과 수율을 향상시킬 수 있다. 삼성전자는 앞서 14나노 D램 공정 중 5개 레이어에 EUV를 적용할 것이라고 밝힌 바 있다.
이번 신규 공정은 최신 DDR5 D램에 가정 먼저 적용된다. DDR5는 최고 7.2Gbps 속도로 DDR4 대비 속도가 2배 이상 빠른 차세대 D램 규격이다. 인공지능(AI)·머신러닝 등 데이터 이용 방식이 고도화하면서 데이터센터, 슈퍼컴퓨터, 기업용 서버 시장에서 고성능 DDR5에 대한 수요가 지속 확대되고 있다.
삼성전자는 EUV 적용으로 업계 최고 수준 14나노 D램 웨이퍼 집적도를 확보하게 됐다. 이전 세대 대비 생산성이 약 20% 향상됐다. 소비전력은 이전 공정 대비 20% 개선됐다. 삼성전자는 14나노 이하 D램에서도 미세 공정 경쟁력을 확보해 우위를 견고히 할 계획이다.
삼성전자는 지난해 3월 업계 최초로 EUV 공정을 적용한 D램 모듈을 고객사에 공급했다. 업계에서 유일하게 EUV 멀티 레이어 공정을 적용, 최선단 14나노 D램을 구현하는 등 차별화된 공정 기술력을 선보이고 있다.
삼성전자는 14나노 공정과 높은 성숙도의 EUV 공정기술력을 기반으로 차별화된 성능과 안정된 수율을 구현, DDR5 D램 대중화를 선도한다는 전략이다. 또 고용량 데이터 시장 수요에 대응하기 위해 이번 공정으로 단일 칩 최대 용량 24GB D램까지 양산할 계획이다.
이주영 삼성전자 메모리사업부 D램개발실장 전무는 “삼성전자는 지난 30년간 끊임없는 기술 혁신을 통해 반도체 미세 공정의 한계를 극복해 왔으며 이번에도 가장 먼저 멀티 레이어에 EUV 공정을 적용해 업계 최선단 14나노 공정을 구현했다”면서 “고용량, 고성능뿐 아니라 높은 생산성으로 5G·AI·메타버스 등 빅데이터 시대에 필요한 최고 메모리 솔루션을 공급하겠다”고 밝혔다.
권동준기자 djkwon@etnews.com
