삼성전자가 극자외선(EUV) 노광 공정을 활용한 10나노급 3세대(1z) 16Gb GDDR6 D램을 개발했다. EUV를 이용한 GDDR6 D램 개발은 세계 최초다. GDDR6는 데이터 처리 속도를 비약적으로 끌어올린 그래픽 D램이다. GDDR6는 초당 1.1테라바이트(TB) 데이터를 처리할 수 있다. 풀HD급 영화 275편을 1초 만에 처리할 수 있는 속도다.
최고 24Gbps 속도로 기존 D램(18Gbps) 대비 30% 이상 속도가 빠르다. PC, 노트북, 게임 콘솔 그래픽 성능이 고도화되고 고성능 컴퓨팅(HPC), 전기차, 자율주행차 시장의 성장으로 고성능 GDDR6 수요가 급증할 것으로 예상된다.
GDDR6는 전력 소모를 줄이기 위해 하이케이 메탈 게이트(HKMG) 공정을 적용했다. 누설 전류를 최소화, 전력 효율이 중요한 응용처에 최적의 솔루션을 제공한다.
삼성전자는 GDDR6에 저전력 동적 전압 기술(DVS)도 적용했다. DVS는 D램 동작 전압을 동적으로 변경해 전력 소모를 조절하는 기술이다. 동작 전압을 기존 1.35V 대비 낮은 1.1V까지 지원한다. 노트북 적용 시 배터리 사용 시간이 크게 증가한다.
삼성전자는 국제반도체표준협의기구(JEDEC) 표준 규격에 맞춰 GDDR6를 개발, 제품의 신뢰성을 높였다. 고객사가 GDDR6를 응용 제품에 쉽게 채용할 수 있을 것으로 기대된다.
이동기 삼성전자 메모리 사업부 상품기획팀 부사장은 “GDDR6는 이달부터 주요 고객사의 차세대 시스템에 탑재, 검증이 시작된다”고 밝혔다.
삼성전자는 매년 두 자릿수 성장하는 GDDR6 시장에서 차별화된 솔루션으로 D램 시장 성장을 주도할 계획이다.
김지웅기자 jw0316@etnews.com
