유회준 KAIST 교수와 조병진 KAIST 교수가 '강대원상'을 수상했다. 강대원상은 반도체 기술 발전에 신기원을 이룩한 고(故) 강대원 박사를 기리기 위해 제정한 상이다.
한국반도체학술대회 상임운영위원회는 14일 6회 강대원상 수상자로 유회준 교수와 조병진 교수를 선정했다고 밝혔다. 유 교수는 회로·시스템 분야에서, 조 교수는 소자·공정 분야에서 수상했다.
유 교수는 반도체 분야 세계적 권위자로 256메가 SD램을 세계 최초 개발했다. AI 반도체 개발의 근간도 마련했다. 그는 AI 반도체를 구현하기 위한 심층신경망(DNN)이 업계 관심을 모으기 전부터 관련 연구를 매진했다. 지능형 시각 프로세서, 신경망처리장치(NPU), 뉴로모픽 프로세서 발전에 공헌했다.
구체적으로 전력 소모를 줄이기 위해 '뉴런 신경망'을 모방한 네트워크를 지능형 시각 프로세서에 적용했다. 이를 통해 에너지 효율과 컴퓨팅 성능을 획기적으로 개선하는 계기를 만들었다. 또 사물인식과 자연어 처리 등에 필수적인 DNN을 기반으로 NPU를 개발, 저전력 AI 반도체 시장의 지평을 열었다. 유 교수는 연구 성과를 인정받아 2019년 국제고체회로학회(ISSCC)에서 아시아인 최초로 기조연설을 맡은 바 있다. 또 기업과 학계가 협력, 차세대 메모리로 불리는 프로세싱인메모리(PIM) 기술 발전을 주도하기 위해 'PIM반도체설계연구센터'를 지난해 설립했다.
조 교수는 반도체 소프트브레이크다운(SBD) 현상을 최초로 발견하고 그 기제(매커니즘)를 밝혀냈다. 소프트브레이크다운은 반도체 게이트 절연막에 누설 전류가 흐르는 절연 파괴 현상이다. 트랜지스터 핵심 요소인 게이트 절연막이 제대로 작동하지 않아 반도체 기능에 악영향을 미친다.
조 교수는 고유전체 연구 분야 세계적 권위자다. 고유전체는 기존 실리콘산화물 절연막을 대체, 누설 전류를 최소화하는 물질로 수요가 늘고 있다. 조 교수는 고유전체를 처음으로 전하트랩형 메모리에 적용하는 등 반도체 발전에 기여했다. SK하이닉스와 주성엔지니어링 등과 함께 고유전체를 적용한 D램 제품 개발에도 공헌했다. 반도체 분야 논문은 600편이 넘는다.
고 강대원 박사는 현재 반도체 트랜지스터 대세로 자리잡은 '금속산화막반도체전계효과 트랜지스터(MOSFET)'을 세계 최초 개발했다. 반도체 트랜지스터 미세화와 대량 생산에 공헌했다. 또 낸드 플래시 메모리 핵심 기술인 플로팅 게이트 개발에도 기여했다.
권동준기자 djkwon@etnews.com
