SK하이닉스가 TSMC와 6세대 고대역폭메모리(HBM) 'HBM4' 개발에 협력한다.
SK하이닉스는 최근 TSMC와 차세대 HBM 생산과 첨단 패키징 기술 역량 강화를 위한 양해각서(MOU)를 체결했다고 19일 밝혔다.
HBM은 '베이스 다이(Die)' 위에 D램 단품 칩인 '코어 다이'를 쌓고, 실리콘관통전극(TSV) 기술로 수직 연결해 만든다. 베이스 다이는 그래픽처리장치(GPU)와 연결돼 HBM을 제어하는 역할을 한다.
SK하이닉스는 HBM3E 베이스 다이까지 자체 공정으로 만들었지만, HBM4부터는 TSMC 로직 선단 공정으로 생산한다. 베이스 다이에 초미세 공정을 적용, 성능과 전력효율을 개선하고 다양한 기능을 추가하기 위해서다. HBM4는 2026년 양산이 목표다.
양사는 또 HBM과 TSMC '칩 온 웨이퍼 온 서브스트레이트(CoWoS) 기술 결합을 최적화하고, HBM 관련 고객 요청에 공동 대응하기로 했다.
CoWoS는 TSMC가 특허권을 보유한 2.5차원(D) 패키징 기술로 로직 칩(GPU·xPU)과 HBM을 수평(2D) 기판 위에서 하나로 결합하는 방식이다.
김주선 SK하이닉스 인공지능(AI)인프라담당 사장은 “TSMC와 협업해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론, 글로벌 고객들과의 개방형 협업에도 속도를 낼 것”이라고 말했다.
케빈 장 TSMC 수석부사장은 “HBM4에서도 긴밀히 협력해 고객의 AI 기반 혁신에 열쇠가 될 제품을 제공하겠다”고 말했다.
박진형 기자 jin@etnews.com
