SK하이닉스가 6세대 고대역폭메모리(HBM) HBM4 16단 제품에 '어드밴스드 매스 리플로우 몰디드 언더 필(MR-MUF)' 기술 적용을 시사했다.
이강욱 SK하이닉스 PKG개발담당 부사장은 3일 대만에서 열린 '세미콘 타이완 2024'에 발표자로 나서 “16단 제품에 어드밴스드 MR-MUF 기술 적용 가능성을 확인했다”고 밝혔다.
이 부사장은 “HBM4 16단 제품을 위해 어드밴스드 MR-MUF와 하이브리드 본딩 방식을 준비를 하고 있고, 고객 요구에 맞춰 최적의 방식을 선택할 계획”이라며 “하이브리드 본딩은 성능·용량·열 방출 측면에서 장점이 있지만, 기술 완성도와 양산 인프라 준비 등 해결해야 할 과제들이 있다”고 말했다.
MR-MUF는 SK하이닉스가 독자적으로 개발해 3세대 HBM(HBM2E)에 첫 적용한 기술이다. 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 빈 공간 사이에 액체 형태의 보호재를 주입하고 굳히는 방식이다. 낮은 본딩 압력과 온도 적용, 일괄 열처리가 가능해 제품 생산성과 신뢰성을 높이는 기술로 평가 받고 있다. 특경쟁사 공정 대비 열 방출 성능도 30% 이상 뛰어나다고 알려졌다.
SK하이닉스는 현재 HBM3와 3E 8단 제품을 MR-MUF, 12단 제품을 어드밴스드 MR-MUF 기술 기반으로 양산 중이다. 내년 하반기 출하하는 HBM4 12단 제품도 어드밴스드 MR-MUF 방식으로 양산할 계획이다.
HBM4는 12단, 16단으로 공급될 예정으로 용량은 최대 48기가바이트(GB), 데이터 처리 속도는 초당 1.65(TB) 이상으로 개발되고 있다. 특히 베이직 다이에 로직 공정이 적용됨에 따라 성능과 에너지 효율이 개선된다. SK하이닉스는 로직 공정 적용을 위해 TSMC와 협력하고 있다.
이 부사장은 “HBM4를 비롯한 차세대 제품 개발을 준비 중이며 대역폭·용량·에너지 효율 측면에서의 기술 난제 해결을 위해 2.5D·3D 시스템 인 패키지(SiP) 등의 기술을 검토하고 있다”며 “HBM4E부터는 '맞춤형' 성격이 강해짐에 따라 파트너사와 협력을 강화하고 있다”고 강조했다.
박진형 기자 jin@etnews.com
