반도체 강국 한국을 대표하는 삼성전자와 SK하이닉스는 지난해 연구개발(R&D) 비용으로 나란히 역대 최고액을 신고했다. 반도체 시장이 침체된 가운데서도 선제적인 R&D 투자로 초격차를 달성하겠다는 전략으로 분석된다.
삼성전자는 지난해 R&D 비용으로 20조2076억원을 투자했다. 종전 최고였던 2018년 18조6620억원보다 8.3% 증가한 수치다. 10년 전인 2009년 7조2721억원과 비교하면 3배 가까이 늘었다.
삼성전자는 사업보고서에서 주요 연구개발 성과로 세계 최고 차세대 1z 나노기반 8GB DDR4 D램 개발, 세계 최고 속도 6세대 V낸드기반 PC SSD 양산, 세계 최고 속도·최대 용량 서버용 30.72TB NVMe SSD 양산, 세계 최대 HBM D램 용량 12단 3DS TSV 패키지 기술 개발, 세계 최초 1억800만화소 모바일 이미지센서 개발 등을 꼽았다.
삼성전자 측은 “고객의 요구를 먼저 파악하고 발상의 전환을 통해 창조적이고 혁신적인 제품, 미래를 선도하는 기술을 지속적으로 창출하여 세계 시장을 선도해 나가고 있다”면서 “세계 IT업계에서 위상을 더욱 굳건히 하기 위해 차세대 기술과 원천기술을 확보해 세계 산업 기술을 이끄는 진정한 선도기업이 되도록 최선을 다하고 있다”고 밝혔다.
삼성전자는 R&D 활동을 지적 재산으로 구축하기 위해 지난해 국내에서 5075건, 미국에서 8729건의 특허를 각각 획득했다.
SK하이닉스는 지난해 총 3조1885억원을 R&D 비용으로 투자했다. 지난해 2조8950억원보다 10.1% 늘면서, 사상 처음으로 3조원대 R&D 투자를 기록했다. 지난해 매출이 크게 줄어든 영향으로 매출액 대비 R&D 비용 비율은 11.8%를 기록, 전년 7.2%보다 높아졌다.
SK하이닉스는 사업보고서에서 “메모리연구소 및 제품개발연구소, 낸드솔루션&미래기술 연구소 등에서 연구개발 활동에 주력하고 있다”고 설명했다.
SK하이닉스는 2019년 말 기준 반도체 관련 총 1만3530건(특허1만3315건·상표215건)의 지식재산권을 보유하고 있다.
권건호기자 wingh1@etnews.com
