SK하이닉스(대표 권오철)는 미국 IBM과 차세대 메모리인 PC램(Phase Change RAM:상변화 메모리) 공동 개발 및 기술 라이선스 계약을 체결했다고 10일 밝혔다.
PC램은 결정 상태에 따른 저항 차이를 이용한 메모리 반도체다. 전원이 공급되지 않는 상태에서도 직전의 저항 상태를 기억할 수 있는 비휘발성 특성을 갖고 있다. 낸드플래시 보다 읽기 및 쓰기 속도가 100배 이상 빠르고 내구성은 1000배 이상 좋다. 또 D램과 같이 낮은 전압에서 동작하며 구조가 단순하고 고용량 제품 개발이 가능해 D램 및 낸드플래시에 이은 차세대 메모리 솔루션으로 주목받고 있다.
SK하이닉스의 미세공정 기술력 및 제품 양산 능력과 IBM의 PC램 핵심 공정인 상변화 물질 및 MLC(Multi-Level Cell) 구현 기술이 결합돼 주도권을 확보할 수 있을 것으로 기대된다.
IBM 연구진들은 지난해 6월 안정적인 MLC 방식으로 PC와 서버 부팅 속도를 대폭 줄이고 IT시스템의 전체적인 성능을 높여주는 PC램 기술을 시연한 바 있다. SK하이닉스는 2007년 PC램 개발을 시작해 40나노급 1기가비트 PC램에 대한 기반 기술을 개발한 바 있다. 이번 제휴로 PC램 상용화 가능성을 획기적으로 높이는 기반을 마련했다.
앞으로 개발될 PC램은 기업용 서버 성능 향상 및 전력 소비 완화를 위한 SCM(Storage Class Memory) 제품이다. SCM은 서버에서 D램과 SSD(Solid State Drive)의 중간 역할을 하는 신개념 버퍼(Buffer) 메모리로, 기존 D램과 SSD 일부 기능을 보완한다.
송현종 SK하이닉스 미래전략실장은 “IBM과 PC램 공동 개발은 SK하이닉스가 차세대 메모리 분야에서 경쟁력을 강화하는데 큰 힘이 될 것으로 기대한다”며 “앞으로도 시장 변화와 고객 요구에 능동적으로 대응하기 위해 다양한 업체들과의 전략적 제휴를 통해 미래사업 역량을 지속적으로 확충해 나갈 것”이라고 말했다.
양종석기자 jsyang@etnews.com
